ASML已完成1nm光刻机设计 摩尔定律再次重新起效

想想几年前的全球半导体芯片市场 , 真的可谓哀嚎一片 , 一时间摩尔定律失效的言论可谓此起彼伏 。 但是在今天 , 我们不仅看到5nm工艺如期而至 , 台积电宣布2nm获得重大进展 , 就连光刻机的老大ASML也传来捷报 , 全球最先进的1nm EUV光刻机业已完成设计 。
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ASML已完成1nm光刻机设计
近日 , 与ASML(阿斯麦)合作研发光刻机的比利时半导体研究机构IMEC公布了3nm及以下制程的在微缩层面技术细节 。 具体来看 , ASML对于3m、2nm、1.5nm、1nm甚至Sub 1nm都做了清晰的路线规划 , 且1nm时代的光刻机体积将增大不少 。
显然 , 1nm光刻机需要更强大的物理极性 , 2nm之后需要更高分辨率的曝光设备 。 目前已经投入量产的7nm、5nm工艺已经引入了0.33NA的EUV曝光设备 , 而ASML已经完成了0.55NA曝光设备的基本设计 , 预计在2022年实现商业化 。
很高兴看到摩尔定律又起效了!
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