文章插图
来源：Web of Science（检索时间：2020.08）
图2-9 CNFET主要研究方向
对文献关键词进行聚类分析 ， 频率最高的关键词分别为：碳纳米管场效应晶体管、紧凑仿真电路模拟器模型（Compact SPICE Model）、场效应晶体管（Field Effect Transistor）、设计（Design）、电路（Circuit）以及纳电子（Nanoelectronics） 。
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来源：Web of Science（检索时间：2020.08）
图2-10 共词网络图
按文献数量对国别进行排序 ， 发表核心期刊论文最多的前5个国家分别为：美国（504篇）、韩国（233篇）、日本（209篇）、中国（206篇）和伊朗（106篇） 。 可以看出 ， 美国在碳纳米管场效应晶体管研究方面具有较大的优势 。
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图2-11 CNFET核心文献国别分布
按发表文章数量对作者进行排序 ， 发表“CNFET”主题相关论文最多的5人分别是日本德岛大学的大野安秀（61篇）、日本名古屋大学的松本海成（45篇）、北京大学的彭练矛（38篇）、日本名古屋大学的水谷隆（34篇）和日本名古屋大学的岸本茂（32篇） 。
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图2-12 CNFET核心文献作者发文数对比
对文章引用情况进行分析 ， 可发现 ， 邓杰（斯坦福大学电气工程系）和马克斯·舒拉克（麻省理工学院电气工程与计算机科学系）是碳纳米管场效应晶体管领域重要作者 ， 文章被引次数最多 。 可视化图像中代表邓杰的圆圈面积最大 ， 说明邓杰的被引量最高 ， 与邓杰相关联的连线偏紫色 ， 表明邓杰是较为早期的作者；与舒拉克相关联的连线偏黄色 ， 表明舒拉克的研究成果较新 。
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图2-13 CNFET核心文献被引网络图
自2000年以来 ， 碳纳米管场效应晶体管相关文献的被引次数逐年增长 ， 在2019年达到巅峰（4304次 ， 见图2-14） ， 表明对碳纳米管场效应晶体管的研究热度在逐年提高 。
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图2-14 CNFET核心论文被引频次图
（2）石墨烯场效应晶体管
使用检索式“TI=((graphene transistor) or (graphene FET))”在WOS核心数据库中对2000-2020年的核心期刊文献进行主题搜索 ， 共得到1651条文献结果 。
按出版年份对文献进行归类 ， 可发现：石墨烯场效应晶体管相关的文献在2006年才首次出现 ， 此后 ， 石墨烯场效应晶体管研究热度逐年上升 ， 在2015年达到顶峰 ， 该年相关主题核心文献共187篇 。 但在此之后 ， 石墨烯场效应晶体管的核心文献发表数量略有下滑 。
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图2-15 石墨烯场效应晶体管文献数量按年分布图表
按涉及学科对文献进行分类排序 ， 可以得知 ， 石墨烯场效应晶体管研究主要涉及的学科为：物理（Physics）、材料科学（Materials Science）、其他科技主题（Science Technology Other Topics）、化学（Chemistry）、工程（Engineering）、电化学（Electrochemistry）等 。
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图2-16 石墨烯场效应晶体管主要研究方向
按文献数量对国别进行排序 ， 发表核心期刊论文最多的前5个国家分别为：美国（424篇）、中国（352篇）、韩国（281篇）、日本（140篇）和德国（110篇） 。 可以看出 ， 美国在石墨烯场效应晶体管方面的研究成果较多 ， 但中国与之差距不大 。
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图2-17 石墨烯场效应晶体管核心文献国别分布
对文章引用情况进行分析 ， 可发现德国伊尔默瑙工业大学教授弗兰克·施维兹（Frank Schwierz）和IBM沃森研究中心研究员林玉明是石墨烯场效应晶体管领域的重要作者 ， 文章被引次数最多 。 被引网络图中代表施维兹的圆圈面积最大 ， 其文献的被引量最高 。 相关文献为施维兹在2020年发表在《自然》杂志的《石墨烯晶体管》（Graphene transistors）一文 。 该文献对石墨烯电子器件的研究情况进行了梳理与展望 。 截至2020年7月17日 ， 该论文被引次数达3622次 。 林玉明的主要贡献是在IBM工作期间参与开发了第一个超过100GHz的石墨烯晶体管和第一个石墨烯集成电路 。

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