今日消息，三星宣布已开始大规模生产基于极紫外(EUV)光技术的14nm DRAM。
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继去年3月首款EUV DRAM出货后，目前EUV层数将增至5层，这将为DDR5提供更好的解决方案。
三星通过在14nm DRAM中增加五个EUV层实现了超高的比特密度，同时将整体晶圆生产率提高了约20%。此外，与上一代DRAM相比，14nm工艺有助于将功耗降低近20%。
根据最新的DDR5标准，三星的14nm DRAM可以带来7.2Gbps的超高速，是上一代DDR4最高速度3.2Gbps的两倍多。
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与此同时，三星计划扩大14nm DDR5的产品组合，以支持数据中心、超级计算机和企业服务器应用。此外，三星预计将其14 nm DRAM芯片密度提升至24Gb，以更好地满足全球IT系统快速增长的数据需求。
【 极紫外光|三星已开始生产基于极紫外光技术的14nm DRAM】(7782462)
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