g三星3nm GAAFET 制程将推迟至 2024 年

据外媒消息,三星的3nm芯片制程将被推迟到2024年。该公司将此特定节点命名为3GAE。2024年是三星能够在3GAE上大规模生产芯片的最早日期,这意味着该公司和英特尔将开始在代工技术上明显落后于台积电。
g三星3nm GAAFET 制程将推迟至 2024 年
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作为目前的半导体制造巨头,台积电将在2024年左右努力实现2nm的制程的量产,这多亏了利用EUV多图形化、在接触和互连中广泛使用钴、锗掺杂通道等,以及其他内部创新措施。
g三星3nm GAAFET 制程将推迟至 2024 年
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英特尔牙膏厂实在是不给力,代工技术在小于10纳米的领域发展极为缓慢,目前三星是唯一可以替代台积电的顶级逻辑芯片制造。
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