晶体管|三星3nm GAA芯片成功流片台积电

据半导体行业观察消息，三星代工厂终于流片了使用其环栅 (GAA) 晶体管架构的3nm芯片。
据了解，三星最早于去年1月宣布生产世界上第一个3nm GAAFET工艺原型，当时表示将在2021年实现批量生产。
3nm GAAFET需要一套不同于台积电和英特尔使用的FinFET晶体管结构的设计和认证工具，三星使用了Synopsys的Fusion Design Platform。因此，这次流片是由Synopsys和三星代工厂合作完成的，旨在加速为GAA流程提供高度优化的参考方法。
据了解，该流程针对的是希望将3nm GAA工艺用于高性能计算 (HPC)、5G、移动和高级人工智能 (AI) 应用中的芯片的客户。
三星表示，GAA架构改进了静电特性，从而提高了性能并降低了功耗，并带来了基于纳米片宽度控制的额外矢量的新优化机会的额外好处。与完善的电压阈值调谐一起使用，这提供了更多方法来优化功率、性能或面积 (PPA) 的设计。

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