[闪存]国产替代的一大步：预计长江存储三季度推出64层固态硬盘( 二 ) 记者从供应链独家获悉

3D NAND闪存的高存储量和高性能技术原理是什么？
"传统晶体管尺寸微缩到20nm左右时遇到一系列问题，即量子世界的效应越来越明显，比如量子隧穿，电子会莫名其妙的穿过绝缘层导致晶体管失效。 "陈启对《科创板日报》采访人员表示， "在 NAND FLASH制程发展到20nm以下的时候，就遇到这些问题，经晶体管尺寸很难再微缩了。 "
陈启告诉采访人员， "因此业界研发出3D NAND制程，从2D 转3D ，一方面工艺节点回退22nm以上，用成熟制程工艺保证良率和稳定性，另一方面3D NAND闪存不追求缩小单元，转而通过3D堆栈技术封装更多单元，就像高楼向上造多层（堆栈），实现空间拓展，不再追求平面内晶体管尺寸的微缩，降低工艺难度，提高良率，最终实现存储容量提升和降低成本。 "
2019年7月27日，东芝推出全球首款64层堆栈的3D NAND闪存工程样品，此事被闪存领域认为标志着一个新里程牌的开启，单颗Die最大256Gb的闪存正式问世。