|说人话系列：英特尔酷睿12代详解(4): 摩尔定律之殇( 二 )

平面跟3D晶体管对比
实际上， 22nm已经无法用正常的命名法看待了。英特尔22nmFinFET工艺的栅极长度并没有比32nm平面制程短多少，但是单位面积集成的晶体管确实翻倍了。而长期在28nm无法突破的台积电也发现了新大陆，转向了3D结构芯片设计，从而最终倒腾出来了TSMC16nm工艺。

英特尔32对比22nm
看图吧，一目了然。就这么继续堆叠下去理论上甚至可以达到硅基芯片的尽头。英特尔制造14nm芯片，技术路线相比22nmFinFET并没有突破多少，而是采用了大力出奇迹的方法——多次光刻，这就是英特尔(也不止它一家)的多重曝光技术。

理解没？就是真的多次光刻
密度太高，而电路精度不够咋办？好办，缝隙里也刻，不行就多来几次。应付14到14+到14+++++都可行，但是面对10nm以下的精度，光刻次数要翻几倍，消耗的电力，供水，光罩数量越来越可怕。这些都能接受，但理论指导带来不了的是，多次光刻的问题是误差。几十亿晶体管，哪怕一个步骤一个错误，一点儿偏移，芯片就报废了。如果是5次6次曝光呢？良品率上不去，这才是问题，毕竟隔壁台积电都用上极紫外光刻了不是。这也是酷睿连续6代都在14nm徘徊的原因。
【|说人话系列：英特尔酷睿12代详解(4): 摩尔定律之殇】本期结束，下期终于要讲酷睿12代的核心设计了！