三星Galaxy|国产内存产能翻倍：17nm DDR5在路上 galaxy s22 ultra

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在2021年，有越来越多的内存厂商使用了合肥长鑫公司开发的DDR4内存芯片，产能也在稳步增长，据悉2021年已达6万晶圆/月，消息称今年的产能将翻倍，达到12万晶圆/月的水平，同时还会有更先进的17nm工艺DDR5/LPDDR5等内存芯片。

据介绍，合肥长鑫存储作为一体化存储器制造商，专业从事动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售，目前已建成第一座12英寸晶圆厂并投产， 18年研发国内首个8Gb DDR4芯片， 2019年Q3季度量产， 2020年多款国产内存已经用上了长鑫的颗粒。
产能方面，长鑫在2020年、2021年分别实现了4.5万片晶圆/月、6万片晶圆/月的目标， 2022年的产能目标是12万片晶圆/月，未来的产能目标是30万片晶圆/月。

国产内存今年的产能目标在全球是什么水平？此前TrendForce预测， 2021年底全球内存产能将达到150万晶圆/月，三星产能超过55.5万晶圆/月， SK海力士是36万片晶圆/月，美光也有35.5万晶圆/月。
如果今年内国产内存产能如期建成，那么合肥长鑫能进入全球第四，不过与前三名的差距还很大。

当然，国产内存扩增产能依然是好事，用网友的话说就是国内有自己的内存芯片生产，就不怕别人的内存厂失火、断电、地震等灾难了。
【三星Galaxy|国产内存产能翻倍：17nm DDR5在路上】除了产能扩增，国产内存的技术水平也在追赶，目前长鑫量产的主要是第一代10nm级别工艺10G1 ，实际水平应该是19nm ，主要以DDR4、LPDDR4为主， 2020年报道中提到研发17nm及以下工艺的DDR5、LPDDR5等内存，这是10G3代工艺，未来还有10G5工艺，除了DDR5、LPDDR5之外还有GDDR6显存。