微电子|美国伯克利大学微电子制造所：正在热烈的讨论足以影响未来30年的技术加州大学伯克利分校

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这是美国加州伯克利大学微电子制造所的组会：一群年轻人正在热烈的讨论足以影响未来30年的技术--FinFET 。 1996年，美国DARPA宣布了一项新的研发计划：下一代先进微电子（Advanced Microelectronics ， AME），旨在开发25nm CMOS工艺。

伯克利大学微电子制造所获得AME项目为期4年的资助， 1999年，正是这张“DARPA Device Group Meeting”照片里的年轻人，发表了全新的FinFET晶体管结构。大约12年之后，美国英特尔宣布采纳FinFET技术量产22纳米芯片。

如今，我们手中的手机芯片，几乎都是采用这项技术，我最近常常浏览DARPA的主页，他们几乎参与了所有最前沿的科技创新领域，并且获得了巨大的产业化成就。 DARPA成功的秘密在哪里？我听说英国也在学习DARPA的模式，然而似乎并不是很成功。

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看着这张照片里，一张张华人的面孔，照片里的年轻人，唯一一位女生，叫Xuejue Huang ，毕业于华中科技大学。她领导了FinFET原型工艺的设计，也是1999年的论文第一作者。这篇短短5页纸的会议论文--Sub 50-nm FinFET: PMOS ，影响了世界30年，以及我们这个时代。而1999年，似乎是一个手机还没有普及的年代，写在2022年的新年。