三星和SK海力士将采用EUV生产DRAM，美光：暂不跟进日前

集微网消息（文/Oliver），日前，据韩国媒体报道，三星电子和SK海力士都将在DRAM生产中导入EUV技术，以建立更高的技术壁垒。对此，美光（Micron）企业副总裁、中国台湾美光董事长徐国晋表示，美光不打算跟进，目前并无采用EUV计划。

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目前，三星电子、SK海力士和美光科技占据全球DRAM市场约94％的份额，而三星电子和SK海力士约占74％的份额。
据ETNEWS报道，三星电子上个月开发出的EUVDRAM是基于该公司的第三代10nm级（1z）工艺构建的16GbLPDDR5DRAM 。该移动DRAM的速度为6,400Mb/sis ，比当今大多数旗舰智能手机中的12GbLPDDR5（5,500Mb/s）快16％。当DRAM制成16GB封装时，它能够在一秒钟内处理51.2GB 。
【三星和SK海力士将采用EUV生产DRAM，美光：暂不跟进】不过， EUV光刻机需要大量投资，因为单个EUV光刻机的成本为1.29亿美元。该技术还具有很高的技术壁垒。但是，三星电子做出了一项大胆的决定，就是将EUVDRAM商业化。三星电子的下一个目标是将EUV技术应用于基于第四代10nm级（1a）工艺的DRAM ，该产品是三星电子的下一代产品。
SK海力士也在致力于EUVDRAM的开发。该公司的未来技术研究所成立EUV光刻研发的工作团队，并且正在研究EUV光刻所需的必要技术，例如光刻、蚀刻和掩模制造。
SK海力士的目标是将EUV工艺应用于明年年初生产的1aDRAM ，该公司还正在制定接下来的路线图，包括在2022年完成1bEUVDRAM的开发。
预计SK海力士未来将在其M16晶圆厂批量生产EUVDRAM ，该工厂被认为是该公司的下一代DRAM生产基地。据悉，该公司已在其利川园区放置了两台EUV光刻机。一旦M16晶圆厂的建设在今年年底完成， SKHynix将开始在M16晶圆厂建造和部署与EUV光刻相关的必要设施和设备。（校对/LL）