中国或与日本联合开发光刻机，技术上是否可行？为克服中国半导体高端制造被钳制的难题

为克服中国半导体高端制造被钳制的难题，近日有消息称中国可能与日本联合开发光刻机。尽管消息还未得到证实，光从技术上看是否可行？需要注意哪些问题？
高端光刻机作为半导体高端制造的核心设备，一直是属于我国亟待攻克的先进技术。尽管我国已经在90nm实现国产化，但是在先进工艺上仍然进展缓慢，尤其是最新的极紫外光刻机EUV ，全球仅有荷兰ASML一家独有。光刻机在发展过程中经历了多次技术迭代，每次光刻机的升级都对应可以实现更高精度的图像成形和更高的晶体管密度。目前我们已经走到了第五代极紫外光刻机，能够生产制造7nm、5nm甚至更先进的工艺：
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很多人可能不知道的是，在工艺进入FinFET晶体管结构之前，日本光刻机也是市场的玩家之一，而最主要厂商就是尼康和佳能。大家都知道这两家的相机产品很优秀，同时也恰恰是由于这样的技术积累，才让先进的光刻机制造成为可能。光刻机最重要的功能就是将芯片的设计图像映射到硅晶圆和金属层上，从而让高精度地刻蚀成为可能：
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看到这里大家应该明白，这和相机成像有异曲同工之妙。而尼康和佳能凭借其优秀的技术积累，曾经一度在半导体制造领域成为世界龙头。即使是日本在经历经济持续低迷数十年之后，目前仍然在世界光刻机市场上占据重要地位：
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尽管在高端光刻机市场厂ASML一家独大，但是小编认为日本厂商仍然具备研发能力，只是日本企业的盈利能力和资金量不支持如此大规模的研发投入，同时日本人的冒险精神也令人质疑。如果中国能与日本精诚合作，攻克高端光刻机的可能性将大大提高。
但是需要注意的是，如果合作研发，必须要有中方技术人员深度参与，培养中国工程师和企业的研发能力，同时两国企业需将研发结果完全公开透明地共享，毕竟防人之心不可无，共同研发伽利略系统的前车之鉴不得不防。
大家觉得中日共同研发可行吗？可以在评论区留下你的看法。
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