中芯开始“破冰行动”!国产光刻机迎来重大突破,中国芯崛起有望
多年以来 , 半导体技术一直都是我国比较薄弱的一项技术领域 , 不管是半导体材料还是芯片制造或者是半导体的相关设备 , 我国都是比较欠缺的 , 原本华为在芯片上面的突破让我们看到了国产半导体崛起的希望 , 但是美国的做法让我们更加意识到半导体技术缺失的严峻性 。
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祸福相依 , 美国芯片禁令从某种程度上来看也不尽全是坏处 , 他虽然伤害了华为的利益 , 但是对于国内的半导体行业来说 , 反倒是起到了一个警醒的作用 , 正是因为美国的芯片禁令 , 让我们国内的半导体企业们纷纷觉醒 , 开始自研科技 。
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【中芯开始“破冰行动”!国产光刻机迎来重大突破,中国芯崛起有望】
在5G、智能电子设备、人工智能等高科技行业发展的背后 , 半导体行业均发挥着重要的作用 。 目前所有的主流电子设备的核心都与半导体芯片息息相关 , 将半导体芯片分成三个部分的话 , 分别是芯片设计 , 芯片制造 , 芯片封测 。
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就目前我国的情况来看 , 我国的芯片设计已经走在了全球顶端 , 但是芯片制造的实力还是太弱 , 因为国产光刻机的实力距离顶尖还有不小的差距 。 不过随着国内对于光刻机技术的重视不断加深 , 也不断攻克了不少光刻机技术 , 中芯开始“破冰行动”!国产光刻机迎来重大突破 , 中国芯崛起有望 。
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近日 , 根据媒体报道 , 中芯国际“N+1”工艺已经经过了芯片流片和一次性完成了测试 , 也就是说 , 中芯国际“N+1”工艺已经达到了成熟的水平 , 并且期间的所有都是国产技术 , 不涉及美国技术 , 就目前而言 , 中芯国际“N+1”工艺已经是相当于台积电的7nm工艺 。
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虽说距离荷兰ASML生产的5nm制程光刻机还有差距 , 但是这个差距已经是很小了 。 再加上现在芯片性能过剩的情况 , 5nm芯片与7nm芯片并没有拉开很大的差距 , 就目前的智能手机设备而言 , 7nm已经完全够用 , 5nm最多只是运行速度更快一些罢了 。
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