中芯开始“破冰行动”！国产光刻机迎来重大突破，中国芯崛起有望多年以来

多年以来，半导体技术一直都是我国比较薄弱的一项技术领域，不管是半导体材料还是芯片制造或者是半导体的相关设备，我国都是比较欠缺的，原本华为在芯片上面的突破让我们看到了国产半导体崛起的希望，但是美国的做法让我们更加意识到半导体技术缺失的严峻性。
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祸福相依，美国芯片禁令从某种程度上来看也不尽全是坏处，他虽然伤害了华为的利益，但是对于国内的半导体行业来说，反倒是起到了一个警醒的作用，正是因为美国的芯片禁令，让我们国内的半导体企业们纷纷觉醒，开始自研科技。
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【中芯开始“破冰行动”！国产光刻机迎来重大突破，中国芯崛起有望】
在5G、智能电子设备、人工智能等高科技行业发展的背后，半导体行业均发挥着重要的作用。目前所有的主流电子设备的核心都与半导体芯片息息相关，将半导体芯片分成三个部分的话，分别是芯片设计，芯片制造，芯片封测。
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就目前我国的情况来看，我国的芯片设计已经走在了全球顶端，但是芯片制造的实力还是太弱，因为国产光刻机的实力距离顶尖还有不小的差距。不过随着国内对于光刻机技术的重视不断加深，也不断攻克了不少光刻机技术，中芯开始“破冰行动”！国产光刻机迎来重大突破，中国芯崛起有望。
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近日，根据媒体报道，中芯国际“N+1”工艺已经经过了芯片流片和一次性完成了测试，也就是说，中芯国际“N+1”工艺已经达到了成熟的水平，并且期间的所有都是国产技术，不涉及美国技术，就目前而言，中芯国际“N+1”工艺已经是相当于台积电的7nm工艺。
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虽说距离荷兰ASML生产的5nm制程光刻机还有差距，但是这个差距已经是很小了。再加上现在芯片性能过剩的情况， 5nm芯片与7nm芯片并没有拉开很大的差距，就目前的智能手机设备而言， 7nm已经完全够用， 5nm最多只是运行速度更快一些罢了。