这几年 ， 天字一号代工厂台积电在新工艺进展上简直是开挂一般的存在 ， 7nm工艺全面普及 ， 5nm工艺一路领先 ， 3nm工艺近在眼前 ， 2nm工艺也进展神速 。
根据最新报道 ， 台积电已经在2nm工艺上取得一项重大的内部突破 ， 虽未披露细节 ， 但是据此乐观预计 ， 2nm工艺有望在2023年下半年进行风险性试产 ， 2024年就能步入量产阶段 。
台积电还表示 ， 2nm的突破将再次拉大与竞争对手的差距 ， 同时延续摩尔定律 ， 继续挺进1nm工艺的研发 。
【驱动之家|台积电2nm工艺重大突破！2023年投入试产】台积电预计 ， 苹果、高通、NVIDIA、AMD等客户都有望率先采纳其2nm工艺 。

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2nm工艺上 ， 台积电将放弃延续多年的FinFET(鳍式场效应晶体管) ， 甚至不使用三星规划在3nm工艺上使用的GAAFET(环绕栅极场效应晶体管) ， 也就是纳米线(nanowire) ， 而是将其拓展成为“MBCFET”(多桥通道场效应晶体管) ， 也就是纳米片(nanosheet) 。
从GAAFET到MBCFET ， 从纳米线到纳米片 ， 可以视为从二维到三维的跃进 ， 能够大大改进电路控制 ， 降低漏电率 。

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当然 ， 新工艺的成本越发会成为天文数字 ， 三星已经在5nm工艺研发上已经投入了大约4.8亿美元 ， 3nmGAAFET上会大大超过5亿美元 。
台积电很少披露具体工艺节点上的投入数字 ， 但是大家可以放开去想象了……

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