观察者网三星首次披露3nm量产时间之际，台积电2nm传出“重大突破”

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观察者网·大橘财经讯（文/吕栋编辑/尹哲）麒麟9000、A14、M1 ，台积电5nm工艺量产后的首批产品上市，便让市场眼前一亮。而同样拥有5nm量产能力的三星却“门可罗雀” ，至今未有产品上市。
【观察者网三星首次披露3nm量产时间之际，台积电2nm传出“重大突破”】不过，在“老大吃肉、老二喝汤、老三喝西北风”的晶圆代工市场，三星并不满足于“喝汤” 。
日前，据彭博社报道，三星近期首次向外界披露其3nm的量产时间——2022年，这一时间点与台积电的计划保持一致。该公司去年公布“半导体愿景2030” ，希望通过巨额投入在2030年超越台积电。
而台积电也并未“坐以待毙” 。台媒也于近期放出消息，台积电的2nm工艺已取得重大突破，有望在2024年量产，该公司还将进行1nm工艺的研发，以延续摩尔定律。

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报道截图
三星首次披露3nm目标
芯片制造领域的高投入和高风险，让高端制程的玩家越来越少。
最近几年，台积电一直在制程进度上“独领风骚” ， 5nm制程麒麟9000、A14、M1芯片上市后，让华为和苹果的智能终端在市场上赚足了眼球。
而今年7月已宣称量产5nm的三星，目前还未有产品上市，并被曝出良率过低。
但三星并不甘心，去年披露的“半导体愿景2030”显示，该公司计划对系统芯片研发和生产技术领域投入133万亿韩元（约合人民币7780亿元），希望能在2030年超越台积电。
这一目标也在最近传出最新进展。
11月17日，据彭博社报道，三星晶圆代工部门的一位高管上月透露，该公司将在2022年大规模生产3nm制程芯片。这是三星首次向外界披露该目标。
这意味着，三星将与台积电2022年下半年量产3nm的计划保持一致。
这家韩国厂商还希望在这方面取得更大优势，其3nm将采用Gate-All-Around（GAA）技术，这一技术可以更精确地控制通道间的电流，缩小芯片面积，降低功耗。

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芯片制造工艺图示
而台积电为其3nm生产线选择了更为成熟的FinFET技术。
韩国仁河大学材料科学与工程教授崔绿诺（Rino Choi）表示，三星正以非常快的速度追赶台积电，该公司希望通过首次采用这种新技术，取得对竞争对手的优势地位。
“但是，如果三星不能在初期阶段迅速提高先进节点的产量，它可能会亏损。 ”他补充道。
目前，三星的存储器芯片和显示面板技术在市场上占据优势，但该公司也希望在2500亿美元的代工和逻辑芯片领域中占有更大的份额，随着人工智能和5G的发展，这个行业正快速增长。
今年二季度，在全球晶圆代工领域，台积电份额过半，而三星占有率不到二成。

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二季度全球晶圆代工市场份额数据来源：TrendForce