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X-NAND 有六个主要特性 : 多位行写、多平面 QLC 编程、程序挂起、多 bl 读取、单锁存 QLC 读取 ， 以及前面提到的 SLC/QLC 并行编程 。 根据实现的不同 ， 这可以极大地提高程序吞吐量 ， 因为可以在编程序列中使用多个平面 。
使用多个存储单位可允许同时进行 SLC 和 QLC 编程 ， 确保 SLC 页面永远不会满 ， 同时数据可以以 SLC 速度编程到 QLC 页面 。 程序可疑功能将允许使用内部共享的页间缓冲区数据线或 I/O 总线来尽可能减少延迟 。 通过使用平面锁存每个位线的读取来改进读取 ， 并由于高电容而得以用非破坏性的方式像 DRAM 一样刷新数据 。

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IT之家提醒 ， 虽然愿景很美好 ， 但该技术到实现可能仍需要不短的时间 。

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