芯智讯|DDR3，兆易创新自研DRAM芯片明年上半年面世，首款产品将是4Gb 11月2日消息

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11月2日消息，近日，兆易创新在业绩电话会议中表示，其Flash产品在TWS耳机当中的导入容量确实在上升，目前256MB的产品正在导入中。此外，兆易创新还透露，其自研DRAM正按照原计划进行，目前研发进度跟预期基本一样，预期明年上半年会有产品出来。自研第一个产品会是DDR34Gb容量，面向利基市场。
虽然此前在DRAM内存芯片布局上，兆易创新主要是通过其与合肥市产业投资控股集团合作的长鑫存储来进行布局。但是，兆易创新的自研DRAM项目也早已开始。
在今年5月，兆易创新宣布与Rambus就RRAM(电阻式随机存取存储器)技术签署专利授权协议。同时，兆易创新还与其同Rambus以及几家战略投资伙伴的合资企业——合肥睿科微（RelianceMemory）签署了授权协议。
【芯智讯|DDR3，兆易创新自研DRAM芯片明年上半年面世，首款产品将是4Gb】根据协议内容，兆易创新从Rambus和睿科微获得180多项RRAM技术相关专利和应用，这将有助于兆易创新在新型存储器RRAM领域的前瞻性技术布局，从而为嵌入式产品提供更丰富的存储解决方案。