奔跑的小罗子|它们功不可没，国内芯片“破冰”？这两项重大突破背后在5G、智能电子设备、人工智能等高科技

在5G、智能电子设备、人工智能等高科技行业发展的背后，半导体行业均发挥着重要的作用。并且目前电子设备主要的核心单元都与半导体芯片紧密关联。随着我国高新技术的发展，国内半导体芯片行业也蓬勃发展。有数据显示，仅在去年，我国半导体材料市场的销售额便达到了86.9亿美元，销售规模位居全球第三。
半导体芯片的诞生，分为芯片设计、芯片制造、芯片封装等多个环节。在芯片设计方面，我国企业已经走在了全球的前列。例如，在早些时候CINNOResearch研究机构发布的2020年Q1中国智能手机SoC排行榜中，华为海思以43.9%的市场份额排名第一，超过了高通、联发科、苹果等同行对手。

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但是，在半导体芯片制造方面，我国还和国外存在着一定的差距。在今年第一季度全球芯片代工企业收入排名中，台积电、三星、辛格分别以102亿美元、29.9亿美元和14.5亿美元位列全球前三，中芯国际则排名第五。其实，除了在收入方面，国内企业同国际同行存在较大差距。在芯片支撑方面，国内芯片加工企业也相对较为落后。半导体设备（特别是光刻机）的来源不足，技术积淀相对薄弱，都是国内芯片企业需要面临的问题。
【奔跑的小罗子|它们功不可没，国内芯片“破冰”？这两项重大突破背后】但是，随着国内企业或者研究机构对于芯片制造的不断制造，国内芯片产业正在“破冰” 。目前已经取得了两个重大突破。

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近日，据媒体报道，全球首个基于中芯国际FinFETN+1先进工艺的芯片流片和测试完成，所有IP全部自主国产，功能测试一次通过。 “N＋1”工艺是中芯国际在第一代先进工艺14nm量产之后的第二代先进工艺的代号，与14nm相比， “N＋1”工艺堪称是国产版的7nm芯片技术。正如中芯国际CEO梁孟松表示的那样， N＋1代工艺在功耗及稳定性上跟7nm工艺非常相似，它将主要面向低功耗应用。与传统的7nm工艺存在一些不同，中芯国际FinFETN+1先进工艺的芯片制造并不需要高精尖的E光刻机。因此，这无疑是国内芯片行业的重大突破之一。

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另一方面，在近日举行的2020中国国际石墨烯创新大会上，超平铜镍合金单晶晶圆、8英寸石墨烯单晶晶圆、锗基石墨烯晶圆等新材料亮相，这充分展示出了我国在高质量石墨烯材料领域的创新成果。
我国中科院的科研团队，从2009年开始，经过十多年的艰苦攻坚，在石墨烯8英寸晶圆实现重大技术突破，且已经实现稳定的小批量生产。据悉，在石墨烯晶圆的产品尺寸和质量方面，我国已经开始处于国际领跑地位。与传统的硅基晶圆不同，石墨烯晶圆由碳元素为基底构成的晶圆。这种晶圆可以用于生产全新材质的芯片，倘若其可以成功应用的话，或将改变全球芯片发展的轨迹。

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无论是中芯国际的FinFETN+1先进工艺，亦或者是中科院团队的8英寸石墨烯单晶晶圆，这两项芯片领域的重大突破，在一定程度上折射出我国芯片产业开始逐渐“破冰” 。而在这背后，中芯国际、中科院等企业或者是研究机构功不可没。
国内芯片“破冰”？这两项重大突破背后，它们（中科院、中芯国际）功不可没。相信随着我国在半导体芯片领域的不断发力，我国一定可以在相关领域取得一系列亮眼成绩！让我们拭目以待！