行业互联网兆易创新推出全国产化24nm SPI NAND Flash
兆易创新推出全国产化24nm SPI NAND Flash
业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice今日宣布 , 正式推出全国产化24nm工艺节点的4Gb SPI NAND Flash产品——GD5F4GM5系列 。 该系列产品实现了从设计研发、生产制造到封装测试所有环节的纯国产化和自主化 , 并已成功量产 , 标志着国内SLC NAND Flash产品正式迈入24nm先进制程工艺时代 。 该创新技术产品有助于进一步丰富兆易创新的存储类产品线 , 为客户提供更优化的大容量代码存储解决方案 。
本文插图
如今各类电子设备的功能日趋复杂 , 在一些新兴的、甚至紧凑型应用中都需要预装嵌入式操作系统 , 对存储容量的需求在不断提升 。 高可靠、大容量的代码存储需求成为业界广泛诉求 。 SLC NAND在市场兼具性价比的同时 , 能够提供给客户更大的容量选择 。 基于此 , 兆易创新在确保高可靠性的同时 , 成功推出24nmSPI NAND Flash——GD5F4GM5 , 兼顾容量和性能的提升 , 更好地服务于代码存储领域 , 致力于为5G、物联网、网通、安防 , 以及包括可穿戴式设备在内的消费类应用场景提供大容量、具备成本优势的解决方案 。
目前 , GD5F4GM5系列已全面量产 , 代表了国产SPI NAND Flash工艺技术量产的最高水准 。 该产品采用串行SPI接口 , 引脚少、封装尺寸小 , 在集成了存储阵列和控制器的同时 , 还带有内部ECC纠错算法 , 擦写次数可达5万次 , 提高可靠性的同时延长产品使用寿命 。
GD5F4GM5系列也在相比于上一代NAND产品 , 大大提升了读写速度 , 最高时钟频率达到120MHz , 数据吞吐量可达480Mbit/s , 支持1.8V/3.3V供电电压 , 能够满足客户对不同供电电压的需求;同时提供WSON8、TFBGA24等多种封装选择 。
GD5F4GM5系列产品特性
兼容1.8V/3.3V供电电压
支持4KB Cache随机读取
四通道SPI接口 , Quad IO数据吞吐量可达480Mbit/s
内置8bit ECC纠错技术
支持标准WSON8、TFBGA24封装
支持工业级-40~85℃温度范围
供货信息
【行业互联网兆易创新推出全国产化24nm SPI NAND Flash】GD5F4GM5系列产品现已全面量产 , 客户可联络销售代表或授权代理商了解相关的订购信息 。
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