《新产经》第三代半导体跑出加速度，争相布局( 二 ) 文/《新产经》郭师绪

【《新产经》第三代半导体跑出加速度，争相布局】国产市场加快启动
据悉，中国第三代半导体产业从2015年开始高速增长，自2018年“中兴事件”“华为事件”等系列事件发生后，警醒了业内对硬科技缺失的重视。从国家层面到企业均开始推进半导体核心技术国产自主化，实现供应链安全可控，这加速了半导体器件的国产化替代进程。

文章图片
以华为为代表的应用企业均在调整供应链，扶持国内企业。 2019年，三安集成、山东天岳、天科合达、泰科天润、国联万众、苏州能讯等国内第三代半导体企业的上中游产品均获得了难得的下游用户验证机会，进入了多个关键厂商供应链，逐步开始了以销促产的“良性循环” 。此外，第三代半导体以氮化镓、碳化硅、硒化锌等宽带半导体原料为主。与第一代和第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，更适合于制作高温、高频、大功率及抗辐射器件，可广泛应用在高压、高频、高温以及高可靠性等领域，包括射频通信、雷达、卫星、电源管理、汽车电子、工业电力电子等。新基建所覆盖的5G基建、特高压、城际高速铁路和城际轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心、人工智能和工业互联网等领域也均将为氮化镓、碳化硅等第三代半导体带来市场需求。可以看到，氮化镓和碳化硅为首的第三代半导体是支持新基建的核心材料，以及第三代半导体器件在新兴应用领域的渗透迅猛，发展第三代半导体产业意义不言而喻。虽然我国第三代半导体产业起步相对较晚，但是得益于近些年国家政策支持、市场需求驱动，产业得到快速发展，已基本形成了涵盖上游衬底、外延片，中游器件设计、器件制造及模块、下游应用等环节的产业链布局。在新基建的加持下，国内龙头企业纷纷加强在第三代半导体领域的布局，通过调整业务领域，扩大产能供给，整合并购，增强竞争能力。据媒体报道，氮化镓方面，我国衬底企业主要有东莞中稼半导体、苏州纳维科技、镓特半导体等，外延片企业主要有晶湛半导体、聚能晶源、世纪金光、聚力成半导体等，器件设计方面有赛微电子，制造企业主要有海威华芯、厦门三安集成等， IDM企业主要有能讯高能半导体、能华微电子、英诺赛科、大连芯冠科技、华功半导体以及中电科十三所、中电科五十五所等。碳化硅方面，我国衬底企业主要有山东天岳、天科合达、中科钢研节能、世纪金光等，外延片企业主要有瀚天天成、天域半导体、世纪金光等，器件制造方面有厦门三安集成、海威华芯等。材料方面， 2019年氮化镓衬底已实现2-3英寸衬底小批量产业化， 4英寸可提供样品；用于电力电子器件的硅基氮化镓外延基本实现6英寸产业化和8英寸材料的样品研发。碳化硅衬底4英寸导电和半绝缘衬底已实现产业化， 6英寸导电衬底小批量供货，已经研制出8英寸衬底；碳化硅同质外延目前商业化的尺寸为4-6英寸等。专家指出，我国在第三代半导体研发、产业领域有一定的基础，尽管与国际巨头仍有差距，但中国作为全球最大的半导体消费市场，在市场风口到来、产业火热加码布局等利好因素加持下，未来，第三代半导体也将成为我国半导体产业提升的重要突破口。还可以看到的是，随着相关企业持续扩增产能、降低生产成本、提高产品可靠性，国产第三代半导体器件在下游应用市场的渗透率将日渐提升，进一步推动国产替代进程。

《新产经》 第三代半导体跑出加速度，争相布局( 二 )

《新产经》第三代半导体跑出加速度，争相布局( 二 )