丽嘉科技新一代功率半导体：芯片领域关键点( 二 )

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通过大型化降低成本
用来提高功率半导体能源利用效率的是使用新材料的新一代产品。其中有望成为主流的是使用碳化硅的产品。与硅相比，碳化硅能够耐受大电压、大电流，大幅削减工作时以热量形式散发的功率损耗。与硅制产品相比，理论上可减少70%的功率损耗。
三菱电机从1990年代开始研发SiC功率半导体。 2010年，该公司使用SiC功率半导体，在全球率先上市了变频空调。 2012年，东京地铁银座线的部分车辆也采用了该公司的产品。与过去相比，车辆系统节能高达38.6% 。
现在，阻碍普及的因素在于成本。碳化硅结晶需要的时间长，价格是硅的几倍甚至十几倍。而且晶圆不易大型化。
2013年10月，三菱电机开发出了世界上最大的使用碳化硅的功率MOSFET ，尺寸为1cm见方。面积是过去的5mm见方的4倍。通过大型化，配备芯片的数量减少，从而可以降低成本。
作为功率半导体领域的后起之秀，罗姆也在1990年代着手开发碳化硅的产品，并以2009年收购了德国的碳化硅晶圆企业SiCystal ，由此，建立起了从碳化硅晶圆到模块的一条龙开发、制造体制。
2013年。罗姆开始使用碳化硅量产大口径的6英寸晶圆。 1枚晶圆可以切割的芯片数量是过去的两倍，提高了生产效率。该公司把功率半导体视为增长的动力之一。碳化硅则是功率半导体的核心。
与碳化硅同样被看好的还有氮化镓。氮化镓具备的有点可举：比硅更耐受高电压，可以缩短电极之间的距离；发热少，耗电量小；开关速度高压碳化硅。可以支持高频率，因此能够使周边部件小型化。但缺点是不支持大电流、大电压，只适用于家电等输出功率较低的电器。
【丽嘉科技新一代功率半导体：芯片领域关键点】功率半导体市场虽然前景光明，但估计今后竞争将激化。