芯片|国产芯片“直道”超车，北大团队克服世界难题，芯片技术突破瓶颈半导体|集成电路|纳米|it芯片|重器

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目前，硅基半导体虽仍为业界主流，但因为硅基材料的尺寸具有物理极限，会使得芯片产业陷入止步不前的境地。而根据国际半导体技术发展路线图委员会分析，大约在2020年，硅基半导体的性能将达到物理学极限。为此，几年前业界便在寻求硅基半导体的接替者。
根据ITRSS在2008年研究报告显示，碳基电子将成为未来研究重点。碳基材料在可兼容性、纳米尺寸、通透性等多方面，都较硅基材料更优异。而由此制成的碳基集成电路也将拥有更高的能效、速率。因此，多年来IBM、斯坦福大学、麻省理工学院研究团队等，都纷纷入局。
而我国也投身于碳基领域，并取得令人瞩目的成就。在今年五月，权威学术期刊《Science》上一篇关于“一种为全新碳纳米管制备方法”的文章，引起了广泛关注。通过这一方法，可以实现兼具高密度与高纯度的碳纳米晶体管。据悉，碳纳米管的纯度能达到99.9999%之高。
而这一成果来自于北京元芯碳基集成电路研究院，该研究院由北京大学发起。同时，作为我国碳基领域中坚力量的中科院也传来好消息，由彭练矛与张志勇教授带领的团队，研发出能生产出低能耗、高数据处理速度的碳基芯片技术。目前，这一碳基集成电路的研究也被收录于《Science》之中。
不仅如此，北京大学碳纳米半导体材料研究团队又攻克了一世界难题，成果已成功亮相于《自然·电子学》这一国际顶级学术期刊之中。据了解，北大的这一研究团队，在“抗辐射”碳纳米晶体管与集成电路中取得突破性成果。也就是说，我国碳基半导体有望实现抗辐射。
【芯片|国产芯片“直道”超车，北大团队克服世界难题，芯片技术突破瓶颈】
这对于有较高辐射的领域，如航空航天、核工业等，有着重要的意义。当前，我国在碳基半导体领域的研究已经走在世界前列，有望实现我国芯片的“直道”超车，这一点属实令人振奋。在前段时间，在湖南湘潭，碳基材料与信息器件研讨会成功召开。
其中，彭练矛院士对我国碳基电子的发展抱有极大的肯定。他认为，碳基电子有望从上游材料起，完全突破如今的半导体技术。碳基电子有望成为国之利器，带领我国芯片产业在“直道”超车，令人振奋。不过，碳基技术从实验室到实际应用，还有很长的路要走。