芯片|成功突破离子注入关键技术，率先开发铌酸锂薄膜芯，厉害了我的国光刻机|it芯片

文章图片

文章图片
对于华为的芯片之争很多人都非常的熟悉了，大家都知道芯片对一个设备的重要性，但是却不知道制造芯片的基本是什么，光刻机是芯片的关键性设备，性能越高的尖端光刻机制造出来的芯片越好，而除此之外还有一个同样重要的物品，那就是制造半导体芯片的基本材料晶圆。
这一个薄薄的圆片上面是光刻机的主要施展舞台，在上面加工制作各种电路元件变成集成电路产品，这是半导体领域之中是最重要的，在国家的大力支持下一个研发团队，成功的突破了离子注入这一项关键技术，领先世界率先开发出来铌酸锂薄膜芯片材料。
越是高集成度的芯片所需要的基片材料越高端，传统的光波导器件尺寸比较大，无法将所有电路元件集中在一块基片上面，而这一个研发团队生产的铌酸锂薄膜厚度为300-700纳米，与传统的基片相比体积大幅缩小。
这一项技术是在铌酸锂晶片进行离子注入，在另一个表面沉积出来一层二氧化硅，然后进行抛光将两片晶片合在一个，最后高温导致铌酸锂薄膜脱落下来，你们对待这一项技术有什么样的看法？欢迎评论区留言关注！
【芯片|成功突破离子注入关键技术，率先开发铌酸锂薄膜芯，厉害了我的国】图片来源于网络，如有侵权联系删除！