产业气象站|微波射频测试黑科技！直接测量晶圆或裸芯片的毫米波太赫兹在片测试微波射频在片测量是指使用探针直接测量

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微波射频在片测量是指使用探针直接测量晶圆（Wafer）或裸芯片（Chip）的微波射频参数。相比于常规的键合/封装后的测量，微波射频在片测量消除了封装及键合丝引入的寄生参数，可以更准确的反应被测芯片的射频特性。微波射频在片测量广泛应用于器件建模、芯片检验等领域。
随着5G、汽车雷达等技术的发展，在片测试也进入了亚毫米波/太赫兹频段，对在片测试技术提出了更高的挑战。

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在片测量系统：
微波射频在片测量系统一般由射频/微波测量仪器和探针台及附件组成。

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微波射频在片测量系统中，探针台和探针用于芯片测量端口与射频测量仪器端口（同轴或波导）之间的适配；微波射频测量仪器完成各项所需的射频测量。
射频探针：
射频探针的本质为适配器，将芯片测量接口转为同轴或波导端口。常见的射频探针有GSG型、GS型、GSSG型等。射频探针的主要参数有最高工作频率、探针针尖距（Pitch）等。

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目前，同轴接口的射频探针频率可达110GHz ，波导接口的射频探针频率高达1.1THz ，有一些型号的探针可以选配BiasTee 。
校准
微波射频在片测试的校准主要是指S参数校准，可以通过使用校准片完成校准。一般的校准片提供开路（Open）、短路（Short）、匹配（Match）、直通（Through）和直线（Line）标准件，可完成TOSM校准或TRL校准。
可以利用厂家提供的标准件参数，一般厂家提供的校准件参数包括开路电容、短路电感、负载阻抗及寄生电感、直通/延迟线电长度等，根据这些数据，可以在矢量网络分析仪中编辑校准件，完成校准。
需要注意的是，不同厂家的探针和校准片一般不能混用。
典型的在片测试：
THz矢量网络测试（R&ampS?ZVA/ZNA矢量网络分析仪及扩频单元）：

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THz多端口矢量网络测试（R&ampS?ZVT/ZNA矢量网络分析仪及扩频单元）：

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频谱/矢量信号分析（R&ampS?FSW信号与频谱分析仪及R&ampS?SMW矢量信号源）：

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在片负载牵引测试（R&ampS?ZVA/ZNA矢量网络分析仪等）
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有源/无源器件建模（R&ampS?ZVA/ZNA矢量网络分析仪等）：

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参考文献：
[1]https://www.rohde-schwarz.com/home_48230.html
[2]https://www.mpi.com.tw/ast/
[3]https://www.cascademicrotech.com/products
关于罗德与施瓦茨
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