产业气象站|目标2023年量产，AGC追加投资NCT加速6吋氧化镓晶圆开发 CINNOResearch产业资讯

CINNOResearch产业资讯， AGC宣布增加对下一代功率半导体材料开发公司——NovelCrystalTechnology的投资。 NCT目前开发、制造和销售4英寸的氧化镓晶圆，拥有全球近100%的市场份额。通过AGC对NCT的追加投资，将会进一步加快研究开发速度，以便在2023年实现氧化镓晶圆的实际应用。

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功率半导体是内置于服务器、汽车、工业机械和家用电器等各种各样的电气和电子设备中的控制电力的电子元器件。功率半导体的性能，与电力控制模组的节能化、轻便化、小型化息息相关，为了减少电力损耗，需要寻求比硅材料具有更优异耐电压性和大电流特性的半导体材料。
与硅相比，氧化镓是下一代功率半导体材料，功率半导体性能指数*1在硅的3000倍以上。与其他备选材料SiC（碳化硅）和GaN（氮化硅）相比，氧化镓可以更好的用于高压和大电流中，所以备受关注。 AGC在2018年投资NCT开始联合技术开发。 NCT的尖端技术，结合AGC在玻璃生产中的高温溶解、抛光和清洁等无机材料量产技术，能够早日实现氧化镓的大规模生产。迄今为止， NCT已经拥有成功开发出4英寸氧化镓（见左上图）的大规模量产技术，于是AGC决定向NCT公司追加投资，以进一步实现更高质量和更大尺寸的晶圆生产。
根据AGCPlus的经营方针， AGC集团将电子业务定位为战略业务之一。 AGC将继续积极开发和投资未来需求旺盛的半导体相关业务，为半导体行业的发展作出贡献。
*1：Baliga性能指数，硅是1时，氧化镓被推断是3444 。具体请确认下文图表。
关于NovelCrystalTechnology公司
【产业气象站|目标2023年量产，AGC追加投资NCT加速6吋氧化镓晶圆开发】NovelCrystalTechnology成立于2015年6月，是从TAMURA制造研究所分离出来的，与国立研发法人信息与通信技术研究所（NICT）的技术转让合并成立的公司。 NCV开发、制造和销售功率半导体材料，包括氧化镓单晶基板和外延晶片，以及功率器件的开发。 2017年11月，与TAMURA制造公司合作，成为世界上第一个使用氧化镓外延膜，成功研制出沟槽MOS功率晶体管的公司。今后将继续引领世界，致力于解决氧化镓的功率半导体实际应用问题。
关于下一代半导体材料的物理特性
Baliga性能指数越高，元件驱动时开启的电阻越小（下图）

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【来源：CINNO】
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