据招股书显示 ， 普冉半导体此次拟募集资金3.45亿元 ， 扣除发行费用后 ， 将投资于闪存芯片升级研发及产业化项目、EEPROM芯片升级研发及产业化项目、以及总部基地及前沿技术研发项目 。


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其中 ， 在闪存芯片升级研发及产业化项目中 ， 该公司将对NOR Flash存储器芯片开展设计研究 ， 实现公司在先进制程、大容量Flash存储器芯片领域的产业化 。
该项目具体研发的产品包括：40nm NOR Flash系列存储器芯片；New Gen NOR Flash系列存储器芯片 。 本项目的产品将被应用于物联网、蓝牙、智能穿戴设备、指纹识别、智能家居、智能手机等领域 。
在EEPROM芯片升级研发及产业化项目中 ， 公司将对工业和消费级以及车载级EEPROM存储器芯片开展设计研究 ， 实现公司EEPROM存储器芯片在多维下游应用领域的产业化 。
该项目具体研发产品包括两部分：一 ， 对手机摄像头模组等消费类 EEPROM以及智能电表、智慧通信等工业类EEPROM存储器芯片进行升级研发；二 ， 开发车载EEPROM产品 ， 通过运用纠错校验（ECC）和差分存储技术 ， 使其具备超高擦写能力、超长数据保存时间等特点 。
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封面图片来源：拍信网

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