芯片|国产光刻机将迎来大进步! 最大技术难题曝光: 解决后可生产10nm芯片光刻机|微电子

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【7月28日讯】相信大家都知道，自从在2020年5月15日，美商务部再次对华为升级了”芯片断供禁令“以后，让华为海思芯片再次陷入到”困境“之中，对此国内很多网友们都非常希望，国内的光刻机巨头—上海微电子，能够研发生产出更加高端的光刻机，补足国产芯片制造的最后一道短板，而目前上海微电子所能够生产的光刻机，最高只能够用于90nm的芯片制造，只能够生产更加低端的芯片，在技术领域与ASML的5nm光刻机还是有着很大一截的技术差距。
但实际上，我们从上海微电子、ASML这两家公司的发展历程来看，荷兰ASML公司成立于1984年，而上海微电子成立于2002年，前后几乎相差了近20年时间，所以起步较晚的上海微电子自然在技术层面上处于落后，完全也是情有可原。但也有很多网友直接提出疑问：“为何上海微电子的光刻机技术一直都停留在90nm工艺上呢？”
【芯片|国产光刻机将迎来大进步! 最大技术难题曝光: 解决后可生产10nm芯片】其实对于上海微电子而言，之所以在光刻机技术领域一直停留在90nm阶段，很大程度上也是因为“浸润式光刻技术”这道门槛，依旧还没有被攻破，目前光刻机设备最为主要的光源有三种，它们分别是汞灯光源、DUV光源、EUV光源；
而浸润式光刻机技术的灵感，也是来自于全球最大的芯片代工巨头—台积电的工程师，在光刻机发展到183nm波长的光源时，受到相关的技术限制，无法进一步向157nm波长的光源进军，所以台积电的工程师直接提出了用水来做介质，让光在水中产生折射，让波长变短，这也是为何ArF+immersion ，明明是193nm ，却能够等效于134nm光源的最重要原因，这意味着一旦上海微电子能够解决浸润式技术；那么就可以实现28nm、16nm、14nm、10nm、7nm这些工艺节点的芯片光刻生产制造了。
而目前上海微电子已经掌控了93nm的光源技术，所以一旦在浸润式技术取得了突破以后，最高就可以实现10nm芯片的量产，同时也能够让国产芯片制造水平、国产光刻机技术水平都能够得到巨大的进步和提升，让国内芯片制造产业不再遭受到“卡脖子”的威胁！
最后：各位小伙伴们，你们对此有什么样的看法和意见呢？欢迎在评论区中留言讨论，期待你们的精彩评论！