光刻机|中科院突破5nm激光光刻，中芯国际发声，暂不需要EUV光刻机中芯国际|芯片

【光刻机|中科院突破5nm激光光刻，中芯国际发声，暂不需要EUV光刻机】

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最近中芯国际董事长周子学透露，该公司已经量产和研发的工艺暂不需要EUV光刻机。都知道，中芯国际早在荷兰ASML公司订购了一台EUV光刻机，本该在19年交付，但由于美国干涉，该订单一直没被发出。于是中芯只得用DUV+光刻机多重曝光的方式往7nm靠拢，虽然成本、良率差些，但也算能实现。不需要EUV光刻机也意味着高盛预测的22年中芯将实现7nm的预测基本准确，同时新的问题也出现了， 5nm必须要EUV光刻机才能实现。

众所周知连半导体大佬台积电的5nm工艺都没能绕开EUV光刻机，而国产最先进的光刻机还是上海微电子的明年才能产出的28nm光刻机，差距甚远，看来一时很难绕开ASML公司了。不过好在目前需要用到的5nm工艺的芯片只有华为的海思麒麟1020、高通875和苹果A14 ，如果能在22年实现7nm ，中端芯片的加工肯定能满足。现在看来中芯不仅需要考虑如何绕开美系技术为华为代工，还需要考虑如何快速提升工艺水平，因为随着台积电赴美，国内能期待的晶圆厂也只有中芯和处于萌芽阶段的比亚迪半导体了。

近期中科学院拿出了一项新型5nm超高精度光刻技术，该技术与传统激光光刻技术不同，可以实现超高精度的纳米尺度加工，且材料不限于光刻胶。如今已能实现5nm超高精度的光刻，同时由于没有材料限制，成本降低的同时，应用场景反而扩宽了。因此其不仅可以用于集成电路、光子芯片等微纳加工领域，同时在制造紧凑型集成电路和生物芯片方面也能用到。
虽然目前还不能用于大规模集成电路芯片的商业生产制造，但是无疑给了一份期待，中芯国际量产的14nm芯片并不是终点， 10nm以下级别的光刻技术也能突破。同时也说明了ASML所掌握的传统光刻技术并非唯一途径，这种新型光刻技术或能成为华为、中芯、比亚迪的突破重围之法。现在看来国内至少已有两种方式（碳基芯片和新型超高精度光刻技术）来打破国外的芯片封锁，就看哪项技术先突破了。