反击正式打响，中国芯片取得突破，美科技界，太快了华为带出的中国芯片现状自从华为在2018

华为带出的中国芯片现状
自从华为在2018年被美国特朗普政府制裁以后，关于“中国芯”的问题就没有消停过。中国芯片到底是怎么样，很多人可能还不太清楚。实际上要说光刻机，中国上个世纪就有了，但是后面不重视，稀土等半导体材料也是“白菜价”卖了不少。

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稀土只是一个统称，包括好多种类
到了上个世纪的九十年代，才开始重视，但是起步已经是太晚了。到了21世纪初，两次半导体的产业转移，国内就只能给人打打包装、搞搞组装。而且西方对于半导体设备把控得很严—《瓦森纳协定》
这就不得不提到张汝京先生，中国半导体之父，上海中芯国际创始人，一个跟台积电创始人张忠谋难为知己难为敌的人。现在的张汝京先生早已离开了中芯国际，不过年逾70的张汝京还是没有放弃，依旧活跃在半导体上游。

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左边倪光南院士；右边张汝京
说句实话，中国的芯片现在还是不行，芯片好多种类，芯片、数模转换芯片、数字处理芯片、DRAM芯片等等，此外还有架构等等的可编程芯片，太多了。其中入门最简单的应该是逻辑电路，搞一搞DRAM存储芯片。

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而事实是，中国的DRAM存储芯片，一直都是被美日韩垄断的，就更被提什么NADA闪存了，被卡得都透不过气来。
“反扑”开始，中国芯片取得突破
这里先给大家普及一下， DRAM存储芯片和NAND闪存有什么区别，最直观的就是， DRAM是用于内存条， NAND是用于硬盘。
DRAM芯片基础电路就是一个晶体管加上一个电容，数据是存储在电容上面的，电容这东西必须要通一通电，要不然数据就会丢失，不过这样是用来做内存是极好的，计算机将数据从存储器调取到内存上，用完了，存回去存储器，内存自己清理掉数据—易失性数据。

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内存条
而NAND就反过来，它是断电了都不会丢失数据，而且NAND发展得也很快，所用的读写颗粒在不停地更新换代，空间结构也朝着进发，现在最新的QLC颗粒，采取3D（三维）的结构。
不过各有各的好处，一般都是工业级的SLC加上QLC搭配，这样容量大，速度也快，不过颗粒的使用寿命可能就差很多，数据结构可以弥补。

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最近中国国内就在DRAM和3D NAND flash上取得了突破。这多亏了紫光集团，紫光不仅仅在芯片的安全等级上做到最好，而且目前在重庆的DRAM工厂年底也将动工；尤其是紫光旗下的长江存储在3D NAND flash这三年是取得不小的成绩。

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固态硬盘就是一种闪存，里面是一块电路，上面有芯片