半导体工艺不断演进 ， 晶体管尺寸越来越小 ， 在单位面积上容纳更多了晶体管 。 在过去 ， 每隔18-24个月 ， 晶体管数量便会增加一倍 ， 性能也将提升一倍 ， 这就是著名的摩尔定律 。
当下的半导体行业 ， 这些纳米值（nm） ， 并不代表晶体管的尺寸 ， 而是代表制造的工艺技术 。 很久以前 ， 晶体管的栅极间距与制造工艺技术（nm）相同 ， 但是现在这个方法早已不适用了 。 目前也没有通用的标准 ， 来衡量各家厂商的晶体管大小 。 不同的厂家有不同的计算方法 ， 例如英特尔称之为10nm工艺 ， 其实与台积电的7nm相似 。 实际上 ， 现已成为没有实际意义的营销噱头 。 我们应该了解 ， 真正重要的是晶体管密度 ， 以MTr/mm2为单位 ， 代表每平方毫米数百万个晶体管 。 如果真的要进行对比的话 ， 晶体管密度算是一个不错的办法 。
从相关资料显示 ， 英特尔14nm工艺达到43.5MTr/mm2 ， 10nm工艺达到100.8MTr/mm2 ， 而台积电方面7nm工艺达到95.3MTr/mm2 ， 7nm+EUV工艺为115.8MTr/mm2 ， 5nmEUV工艺171.3MTr/mm2 。 因此从数据看 ， 英特尔的10nm工艺 ， 晶体管密度是比台积电7nm工艺要高的 。 另外 ， 我们可以看到 ， 英特尔14nm到10nm ， 晶体管密度提升为之前的2.3倍 ， 跨越相当大 。 也许正是太激进 ， 导致了英特尔10nm迟迟不能量产 ， 市场份额被对手侵蚀 。

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