产业气象站格芯最新FinFET工艺12LP＋研发成功：性能增加2成在过去一段时间里

【产业气象站格芯最新FinFET工艺12LP＋研发成功：性能增加2成】在过去一段时间里，格芯已经放弃了对于10nm一下制程的研发投入，同时还大力精简投资，出售旗下部分晶圆厂。不过，对于其现有的成熟工艺，格芯依旧保持了极高的优化热情。

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最近，格芯正式对外宣布，旗下最先进的FinFET12LP+工艺完成研发，并已准备正式投产。按照官方说法， 12LP+的性能较前代（12LP）增加了20%、面积则减少了10% 。这些参数的进步，主要得益于改进的模拟布局设计法则、新的低压SRAM、独立鳍片单元和性能驱动的区块优化组件。
目前， 12LP+已在当下火热的AI训练芯片领域通过了IP验证，可以在很大程度上压缩成本，产生更大价值。另外，格芯也在丰富12nmLP+的IP组合包，目标包括PCIe3/4/5、USB2/3主控芯片、HBM2/2e显存、DDR/LPDDR4/4X芯片、GDDR6芯片等。

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据了解，格芯的12nmLP+将主要放在美国本土纽约州Malta的Fab8工厂生产，今年下半年内会有多套方案流片。

产业气象站 格芯最新FinFET工艺12LP＋研发成功：性能增加2成

产业气象站格芯最新FinFET工艺12LP＋研发成功：性能增加2成