通天战队|智能手机成像技术的最高境界( 二 ) 翻译自——techinsights影像传感器最为

另一个策略是在旧的像素设计中部署这些新的DTI结构。事实上，苹果公司最近推出的iPhone imager不仅扭转了iPhone的像素从1.22 μm 回升到1.4 μm的比例趋势，同时还增加了B-DTI结构所支持的活性Si厚度。
背光有源硅的厚度趋势
下图显示了索尼和三星最近的0.8μm像素，以及DTI结构的概述。对于这些特定芯片，索尼偏爱150nm宽，氧化物填充的B-DTI结构，而三星偏爱110nm宽，多填充的F-DTI结构。
Sony 已将DTI像素隔离技术用于Sony CMOS影像传感器,尤其是使用于手机或笔电上配置的CMOS影像传感器例如:IMX298,IMX488 等.. 。
索尼的DTI解决方案是在工艺流程的后期实现，便于其平面像素晶体管策略的延续。三星所用的F-DTI方案要求必须采用VTG ，所以其隔断会比较完整。这似乎也是目前三星着力的宣传点。我们在研讨会(Paper R02)上了解到， OmniVision的0.8像素将采用B-DTI和VTG结构。
如今随着像素越来越小、active Si厚度变大， DTI结构本身也在持续进化中。 DTI以及相应的钝化技术是目前像素越做越小的关键所在。如果说高像素真的只是噱头并且会让画质变差的话，那么三星、索尼、OmniVision这些厂商又为何要非要投入大量成本研发此类技术呢？
除了DTI之外，近1-2年手机CMOS图像传感器领域的另一个热门技术就是芯片堆栈——技术核心是chip-to-chip的互连。这和索尼更早应用了“Stacked”堆栈式技术的Exmor RS图像传感器产品不一样。当年的stacked技术是把像素周围的电路移到下层去，电路不需要占用像素表面的位置，让像素感光开口更大。
基于此，各大厂商正在加紧研制自己的技术。苹果率先亮剑，实现了3D Face ID ，同时也再次“解锁”了3D成像和传感技术。未来3D成像和传感技术将会渗透到更多的应用场景，其市场将会持续高速膨胀。