芯片|我国芯片巨头正式官宣：新一代制程的芯片来了，年底将开始量产！中芯国际|官宣|5G|it芯片

大陆芯片巨头官宣！新一代芯片来了说起现在的芯片，人们都会想到我们正是由于这方面的技术不够成熟，才导致近期被美国禁令所遏制，处处被压迫。
【芯片|我国芯片巨头正式官宣：新一代制程的芯片来了，年底将开始量产！】因为现在的芯片，已经成为以后智能设备最为重要的核心成分，不管是在传统的PC上、手机上，还是当前比较流行的新型智能手表、智能手环乃至AR全息眼镜等高科技设备中，都已经摆脱不了芯片的支撑。

特别是在当前，由于全球5G技术的不断发展，加上我国华为等科技公司在全球5G技术上的领导权。由此促使我们国内计划在今年年底建成覆盖地级以上城市的5G网络信号覆盖，并且还将努力实现县镇等地区5G信号重点区域的覆盖。意思就是，一个全新的物联网时代将会到来。在这样一个强大的市场推动下，我们国内就需要大量的芯片来“支撑” ，因为万物互联必须要在相关的设备上配备具有较强性能的处理器和5G通讯芯片，这样一来才可以确保万物互联得以正常发展。
到现在为止，我们国内已经有很多厂商可以通过自己来设计处理器以及5G通讯基带了，比如：华为研发的海思系列、紫光展锐的虎贲和春藤系列，中兴等厂商也可以自主设计先进制程的芯片。但是在芯片的制造方面，我们国家大陆的很多厂商只可以量产14nm及以上制程的芯片，甚至连12nm制程的芯片，都只是在小范围的试生产阶段。因此，跟一些先进的公司相比还是存在一定的差距的。
根据相关的新闻报道。要想生产7nm及其以下工艺的芯片，就需要EUV的光刻机。但是当前该光刻机只有荷兰的ASML才可以生产，可以说全球都在被它所垄断。但是接下来这条消息，将会令很多人为之感到兴奋，最近国内的芯片巨头中芯国际宣布已经在先进芯片的制造方法上得到了“突破” ，可以成功的躲开EUV光刻机的“垄断” 。
那就是中芯国际自主研发的N+1工艺，此工艺跟14nm工艺相比，性能至少有了20%的提升，功耗也有了57%的降低，逻辑上来看它的面积也缩小了近6成， SoC面积也有了55%的减少。除此之外， N+1代的工艺在功耗及稳定性上同7nm工艺制程的芯片较为相似，只是性能相对来讲稍弱一些，主要有优点在于其功耗更低。
要知道N+1工艺之后，必将会出现下一代的工艺，很有可能是N+2 ，下一代工艺在功耗上可能会表现的跟第一代表现差不多，但是N+2的性能必将超越上一代的性能。相应的其成本也会随之增加，换句话讲就是N+1主打的就是低功耗， N+2主打的就会是高性能。并且根据中芯国际对外公布的数据显示， N+1工艺将会在2020年的年底进入到试生产阶段，至于N+2工艺的话，将会在2021年底才会进入到试生产阶段。
就在前不久，中芯国际对外正式公布，其第二代的FinFET N+1工艺技术，已经发展到了客户导入的阶段，预估将会在2020年的年底进行小批量的试生产。换句话说，这个国产的新一代N+1工艺的芯片即将到来，年底将会量产，国产芯片看到“曙光”了。