华为p40|振奋！芯片龙头宣布，不用EUV光刻机制造较高性能芯片年底试产！华为p40

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振奋！芯片龙头宣布，不用EUV制造较高性能芯片年底试产！
自因美国禁令华为的芯片被断供以后，很多国人都感到憋屈，台积电不能代工，我国就没有办法生产较先进的芯片了？
被寄予厚望的我国芯片龙头企业中芯国际，受光刻机的限制，目前只能生产14nm的芯片与台积电的7nm、5nm相比差距很大。
虽然中科院宣布将研制光刻机对我们来说是令人兴奋的事，但我们也应实事求是，短时间内想研发出高性能的光刻机还不太现实，或许在明年能下线28nm光刻机，只能说有进步，但与先进的EUV光刻机仍然相差甚远，想要研制出先进的光刻机恐怕需要5年甚至10年时间里，因为在光源、镜头以及整合等技术方面我们的差距还是比较大的。
近日传来了令人振奋的消息，我国芯片制造业龙头中芯国际，在客户询问N+1、N+2等先进工艺进展时，该公司回答表示，第二代FinFETN+1工艺已进入客户导入阶段，预计将在2020年底实现小批量试产， 2021年有望量产。
N+1、N+2是中芯国际自己内部的代号对标的是台积电、三星的7nm工艺，因为我们没有EUV光刻机，所以这是用DUV光刻机来生产。
今年上半年，梁孟松博士首次公开了了N+1、N+2工艺情况，他表示N+1工艺生产的芯片与14nm芯片相比，性能提高了20% ，功耗减少了57% ，逻辑面积减少了63%SoC面积减少了55% ，之后N+2工艺的性能和成本有所提高。
从参数上看，应该是介于7nm与10nm之间，功耗和面积与7nm相仿，面积减少55%意味着晶体管数量提高，只是性能上稍差一点，可以说是低配版的7nm制程芯片，而N+2工艺性能上还会提高，应该与7nm性能差不多了。
应该说，在我们芯片制造至暗时刻，听到这样的相信还是令人振奋的，虽然与台积电相比还是有差距，但台积电、三星是芯片制造巨无霸企业，每年的研发资金就赶上中芯国际的营业收入了，其次他们都有最先进的光刻机，而同样有先进光刻机的英特尔7nm制程的芯片生产还搞不定，准备让台积电代工。
如果中芯国际能量产N+1、N+2工艺，应该说是了不起的成绩了，这应该与梁孟松博士有很大的关系，当然试产与较好良率的量产还需要中芯国际的努力。
梁孟松博士在2017年10月加盟中芯国际，与赵海军一起担任联合CEO ，来到中芯国际后2018年提出订购ASML的EUV光刻机，然而遗憾的是，还是迟了，原本是2019年交货，在美国阻扰下，一直未能到货。
梁孟松在芯片制造领域里名气是很大的，在台积电因为未能晋升研发副总，在他韩国夫人鼓励下，辞职来到韩国三星，当然以先到韩国教书为名，实际上教书的大学与三星有很大的关系，之后帮助三星在14nm上大跃进，一举超过台积电。
台积电大佬张忠谋一看还得了，叛将帮助敌人打败自己了，于是把梁孟松告上法庭，告他违反了竞业规定。所以梁孟松对台积电也是憋了一口气的，来到中芯国际半年时间就把中芯国际14nm的良率提高了上去，当然梁孟松来到中芯国际也是有条件的，就是必须要挖到他指定的工程师，据说名单上有数十个人。