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【光刻机|国产光刻机或将迎来重大进展,直奔14nm】
最近从国外流出的消息 , 国产光刻机独苗上海微电子(SMEE)在接受日本经济新闻网的采访时回复称:“目前公司的支柱产品依旧是生产90nm工艺芯片的光刻机 , 用于生产28nm、14nm芯片的光刻机 , 在成品率上还有一定的提升空间” 。
这篇报道等于直接实锤上海微电子确实在研发28nm甚至14nm级别的光刻机 , 早先流出的消息指出上海微电子将在今年底前上市最新的DUV光刻机 , 支持28nm工艺制程 , 现在看来 , 14nm也已经加入其目标 。
而且从两个消息公布的时间看 , 上海微电子极有可能在美方对中国进行全面半导体封锁后获得了国家及私有资本的强力支持 , 因此中途提高了下一代光刻机的性能目标 。
目前上海微电子最先进的量产光刻机是600系列 , 其中最高端型号SSSSA600/20采用193nm的ArF光源 , 与ASML的DUV光刻机相同 , 但一次曝光制程只能达到90nm 。
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