IT之家长江存储国家存储器基地项目二期开工，雄关漫道真如铁 IT之家6月22日消息根据长江存储官方的

IT之家6月22日消息根据长江存储官方的消息，由长江存储实施的国家存储器基地项目二期（土建）于6月20日在武汉东湖高新区开工。

文章图片
据介绍，长江存储国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设，计划分两期建设3DNAND闪存芯片工厂。项目一期于2016年底开工建设，进展顺利， 32层、64层存储芯片产品已实现稳定量产，并成功研制出全球首款128层QLC三维闪存芯片。
在开工仪式上，紫光集团、长江存储董事长赵伟国介绍了项目有关情况。他表示，国家存储器基地项目一期开工建设以来，从一片荒芜之地变成了一座世界领先的存储器芯片工厂，实现了技术水平从跟跑到并跑的跨越。
【IT之家长江存储国家存储器基地项目二期开工，雄关漫道真如铁】IT之家曾报道， 4月份，长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC3DNAND闪存（型号：X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。作为业内首款128层QLC规格的3DNAND闪存，长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量，拥有1.6Gb/s高速读写性能和1.33Tb高容量。

IT之家 长江存储国家存储器基地项目二期开工，雄关漫道真如铁

IT之家长江存储国家存储器基地项目二期开工，雄关漫道真如铁