行行查TB|写入速度较之前提高三倍，三星注资65亿美元开建第二条闪存生产线三星开始在韩国的一家工厂建造第二条闪

【行行查TB|写入速度较之前提高三倍，三星注资65亿美元开建第二条闪存生产线】三星开始在韩国的一家工厂建造第二条闪存生产线，以跟上中长期因人工智能、物联网和5G技术广泛应用所驱动的需求增长。该公司计划于2021年下半年在首尔以南70公里的平泽(Pyeongtaek)大规模生产其最新的V-NAND芯片。据韩联社报道，尽管它并未透露扩大产能的投资规模，但消息人士估计总额约为8万亿韩元(C114注：约合65亿美元) 。

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三星电子存储器全球销售与市场部执行副总裁ChoiCheol在一份声明中表示：“新的投资重申了我们保持在内存技术领域无可争议的领先地位的承诺，即使在不确定的时期(任然如此) 。 ”三星是世界上最大的闪存制造商。今年3月中旬，该公司在中国西安的工厂开始大规模生产第五代V-NAND ，以满足旗舰和高端智能手机市场的需求。新的512GB闪存单元的写入速度超过1.2GB/s ，比之前的版本提高了三倍。当时，三星表示，计划将平泽工厂的V-NAND生产从第五代切换到第六代，以更好地应对不断增长的需求。
闪速存储器虽然有众多类型，但主要为NORFlash和NANDFlash 。两者之间的区别在于存储单元连接方式不同，导致两者读取方式不同。 NORFlash以“字”为单位，具有芯片内执行的能力。但在块读/写上则有不足，所以主要用于小容量代码闪存领域。而NANDFlash在块读/写上具备优势，所以其主要用在大容量存储领域。根据销售额， NANDFlash产品销售额在存储器中占比约为42% ，成为闪速存储器中占比最大的细分产品。

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NANDFlash是flash内存的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。 NANDFlash存储器具有容量较大、改写速度快等优点，适用于大量数据的存储。从技术发展方向来看， 2018年全面进入3DNANDFlash之年， 2018年原厂三星、东芝/西部数据、美光/英特尔3DNAND生产比重已超过80% ，并推动64层/72层3DNAND技术成为主流。为了持续提高成本竞争力，确保先进技术在市场上的领导优势，三星、东芝/西部数据、美光/英特尔、SK海力士先后实现96层技术的量产。 SK更是推出首款4DNANDFlash以求在技术上突围。随着3DNANDFlash产能的快速增长， 16nm2DNANDFlash的产量将逐步减少，而且二维闪存（2DNANDFlash）制程也将终结于16nm节点，闪存制造厂商将直接放弃二维闪存的技术研发。由此二维闪存（2DNANDFlash）的市场也将与三维闪存（3DNANDFlash）脱钩，逐渐转变为利基型市场。 2018年，闪存制造厂商在96层和QLC技术创新上展现了激烈的竞争。

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WSTS数据显示， 2018年全球半导体存储市场规模超过1500亿美元，同比增长26.4% 。 ICInsights预测，至2021年，半导体存储的重要组成——闪存市场规模将达到642.4亿美元；企业级存储市场将占据近半壁江山，以较为稳定的增速，在2022年达到324亿美元。

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