【历史故事】俄罗斯的光刻机行动晚了15年?你猜战斗民族会成功吗?( 二 )

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而近年来的研究发现，当图形的线宽小到一定程度时(一般为0.01μm以下) ，被波导效应影响，最终得到的图形线宽要小于实际掩模图形，因此X光刻分辨率也受到掩模版与晶圆间距大小的影响。
在后光学光刻的技术中，其最主要且最困难的技术就是掩模制造技术，其中1:1的光刻非常困难，是妨碍技术发展的难题之一。
而IMEC的模拟研究表明，随着工艺制程的逐渐提升， EUV以及高NAEUV光刻机的出现，对于掩膜也带来了新的挑战。掩模缺陷的影响将越来越大，掩模设计规则需要变得更加严格。
因此，为了实现更加灵活的光刻过程，业界开始研究用其他的东西取代物理掩膜，甚至干脆不使用掩膜进行加工，这样的方法称为“无掩膜光刻” 。
也就是俄罗斯人的主攻方向。
为什么是“无掩膜光刻”？
在泛半导体领域，根据是否使用掩膜版，光刻技术主要分为掩膜光刻与直写光刻。直写光刻也就是无掩膜光刻。
它是指计算机控制的高精度光束聚焦投影至涂覆有感光材料的基材表面上，无需掩膜直接进行扫描曝光。
早在20年前，俄罗斯莫斯科电子技术学院就在无掩膜EUV领域展开了研究， 2002年时就开展了一个名为“基于微聚焦X射线管列阵的软X射线源研制，适用于10nm无掩膜光刻机”的项目研究，目前进展还算是比较顺利。
从市场应用和技术动态能够看到，无掩膜光刻技术一直在不断地演进和探索过程中。
X射线光刻机最终能实现吗？很难讲。但与其相关的各项技术如同步辐射光源、光刻胶等工艺已日趋成熟，可望在未来的研发和生产中发挥重要作用。
虽然俄罗斯媒体也在说俄罗斯的光刻机计划晚了15年，但正如网友所说，俄罗斯目前最大的问题是缺钱缺工业基础，理论上并没有问题，其相关研究最早能追溯到上世纪80年代。当时他们就已经在研究制造光源了，目前承接该项目的理论物理学家，主要研究领域也是X射线光学、光学干涉测量等，从一切的现有条件来看，俄罗斯搞光刻机并不是说说而已，
破釜沉舟后的背水一战，很可能终结ASML的垄断地位，期待俄罗斯人又一次创造历史。
【【历史故事】俄罗斯的光刻机行动晚了15年?你猜战斗民族会成功吗?】我国在这一领域虽然有投入但相对力量较为薄弱，是不是也应密切关注这一技术的发展动向，也期待我国自研的光刻机早日面世。当下一次海浪奔涌而来时，希望我们能够积蓄一些能力，自保或是抵抗，就是不要躺平在沙滩上。