『芯片』反击美国芯片封杀，中国有了新动向！（中国光刻机现状）光刻机

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前两天，美修改其产品出口规则，意欲迫使台积电对华为断供芯片。
芯片对一个国家的重要性不言而喻，自然，面对美国的这种封杀，中国不可能无动于衷，已经走出新的一步。
根据每经网消息， 5月15日，国家集成电路基金等多方同意分别向中芯国际注资15亿美元及7.5亿美元，按当下汇率为107亿元、53亿元。
这无疑是一个好消息，意味着国家正在花大力气扶植自己的芯片产业。
目前，中国的芯片技术与产业同国外顶尖水平相比还有不小的差距，其中以中芯国际最为厉害，目前已能量产14nm芯片，正常情况下，今年年底能量产7nm 。
即使如此，与台积电等顶尖企业还是有二三年的差距，因为这个水平台积电在2年前就已经搞定了，目前台积电正在攻关5nm工艺。
中国芯片的最大难度，不在芯片设计，芯片设计我们做得很好，像华为海思就是其中的杰出代表；也不在制作工艺，只要有足够好的机器，以中芯国际目前的水平要追上去，不是难事。
但是，如果没有更好的光刻机，中芯国际要突破比7nm更高的工艺，难度就很大。
中国芯片最大的难题还是在光刻机。
中芯国际向ASML订了一台最先进的EUV极紫外光刻机，原本2019年就要到货的，结果因为美国的阻挠， ASML得不到荷兰政府的出口许可，至今未交付。
中国的光刻机现状如何？
中国其实也有光刻机。
早在1977年，我们就搞出了第一台名为GK-3的光刻机，性能不算太先进，但好歹是有了。
1982年，中科院109厂的KHA-75-1光刻机，与当时最先进的佳能，差距不到4年；
但80年代，中国开始有了“造不如买”的思想，硬是让中国光刻机技术停滞不前将近20年；
直到2002年，中国才重启光刻机研制，上海微电便是这一背景下的产物；
2016年，上海微电搞定了90nm精度的光刻机；
别小看这90nm ，它意味着可以驱动整个中国的工业与国防制造，即使所有外国进口的光刻机瞬间停止工作，整个中国工业与国防生产，不会因此而休克，意义也是很重大的。
2017年，中科院长春光学所牵头研制的“极紫外光关键技术”通过验收；
2018年11月29日，中科院“超分辨光刻设备”验收通过，精度达到22nm ，结合双重曝光技术，可制造10nm工艺芯片。
目前，中国光刻机的公开资料，便停留在这个阶段，时间已经过去一两年了，中国光刻机也许又取得了新的进步，只是尚未公开。
对于光刻机，它的研制难度非常大，有人甚至说它的研制难度不亚于原子弹。
不去研究这种说法的正确性，但它确实是现代工业皇冠上那颗璀璨的明珠。
以ASML最先进的EUV光刻机来说，它涉及上游5000多家供应商，共计需要3万多个零部件，其中90%是从国外进口，它既需要德国的光学设备与超精密仪器，也需要美国的计量设备与光源…… ， ASML主要是精密控制，若是德国的镜头不准，美国的光源不精， ASML瞬间跌下神坛。
由此可见，光刻机的研制难度有多大。
即使ASML想要什么部件都能买得到，但EUV的研制过程也曾遇到过极大困难。
【『芯片』反击美国芯片封杀，中国有了新动向！（中国光刻机现状）】早期的光刻机三巨头是ASML、佳能、尼康，由于EUV的研制太烧钱，后二者已经退出了高端光刻机市场。