「科技小灵」手机快充的最佳选择！，维安第三代超级结硅MOSFET( 二 ) 集微直播间自开播以来获得了大量来自行

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从两种器件的截面图来看， SJ-MOSFET是垂直型结构， GaN是平面型结构。

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从两种器件的等效电路模型来看， SJ-MOSFET寄生bodydiode具有雪崩特征， GaN无雪崩特性。因此， GaN在耐电压特性方面并不如意。

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在开关损耗/结电容方面， SJ-MOSFET在0-40V的开关损耗较大，而GaN的开关损耗较小且变化较小。

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从功率器件的关键参数来看， SJ-MOSFET在反向阻断能力、反向阻断耐量、正向导通表现更好，而GaNHEMTs在正向导通表现更好，不过，这对EMI方面却并不利。
SJ-MOSFET充电器与GaN充电器的对比

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小米65WGaN充电器内部结构比较紧凑，内部空间运用得比较极致，其PCB尺寸是31mm*31mm*56.2mm ，功率密度是1.2W/cm3 。

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SilannaACF（有源钳位）65W的评估板采用了维安第三代深沟槽工艺的SJ-MOSFET ，其PCB尺寸是50mm*50mm*22mm ，功率密度是1.18W/cm3 ，集成高压有源钳位FET ，整体效率可以到达93%以上。

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SilannaACF65W解决方案初级MOSFET采用的是WML14N65C4 ，同步整流MOSFET采用了WMB129N10T2 ，负载开关MOSFET为WM06DN03D 。

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从板端效率测试来看，采用维安SJ-MOSFET的Silanna评估板待机功耗远低于100mW ，符合标准，而两者的平均效率差异不大，都远远超过标准要求。

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在运行波形方面，维安第三代SJ-MOSFET开关频率为92.05kHz ，电流最大值为2.36A ，但GaN的耐压值为452V ，非常低，但驱动电压为5.2V ，开关频率为374kHz ，非常高。

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【「科技小灵」手机快充的最佳选择！，维安第三代超级结硅MOSFET】超级结硅MOSFET和GaNHEMTs主要差异CGS+CGD(VDS),硅MOSFET结电容相对较大，故最大使用开关频率比GaN小，上图硅开关频率是GaN的1/4；高开关频率不可忽视的是磁性器件的损耗，比如变压器磁滞损耗、涡流损耗和气息损耗。
维安SJ-MOSFET创新封装

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对比友商的产品，采用维安PDFN8x8封装的65WPD适配器实测效率更高。
目前，三星ELENTEC/15W以及三星S105G版原装25WUSB-C充电器均有采用维安的产品，并实现了大规模交付。
郭建军表示，从元器件层面来看，硅器件更有价格优势，一个4英寸的氮化镓晶圆成本大概是1万元，但是8英寸的超级结硅晶圆成本在1万元以内，同时，氮化镓器件比硅器件的封装要求高很多，这也导致其封装成本更高。
此外，郭建军指出，工程师在硅器件方面积累了丰富的设计和实践经验，在某些情况下，硅可以实现比氮化镓更高的效率，因此，在选择功率开关时，业界需要考虑成本、稳定性等因素，硅器件依然有很多的空间能被业界所采用。