『镇上宝塔』单片机简介( 三 )

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复位
在振荡器运行时，有两个机器周期（24个振荡周期）以上的高电平出现在此引脚时，将
使单片机复位，只要这个引脚保持高电平，单片机便一直处于复位状态。复位后P0～P3口均
置1 ，引脚表现为高电平，程序计数器和特殊功能寄存器SFR全部清零。当复位引脚由高电平
变为低电平时，芯片从ROM的00H处开始运行程序。复位操作不会对内部RAM有所影响。常用
的复位电路如图2.4所示。当单片机上电时，由于电容的作用， RST引脚会处于短暂的高电平
状态，直到电容充电到一定程度时， RST引脚的电平会被8.2K的电阻拉低，单片机开始运行
程序。图中的按键为手动复位按键，当按下复位按键后， RST引脚会被1K的电阻上拉至高电
平，单片机复位，按键松开后，RST恢复低电平，单片机重新从程序存储器的00H处运行程序。
手动复位按键在单片机的最小系统中并不是必须的，但对单片机的复位控制会方便些。

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常用的复位电路
输入输出引脚
(1)P0端口[P0.0～P0.7] P0是一个8位漏极开路型双向I/O端口，端口置1 （对端口写1）
时作高阻抗输入端端口置1 （对端口写1）时作高阻抗输入端。作为输出口时能驱动8个TTL 。P0端口要外接上拉电阻。
(2)P1端口[P1.0～P1.7] P1是一个带有内部上拉电阻的8位双向I/0端口。输出时可驱
动4个TTL 。端口置1时，内部上拉电阻将端口拉到高电平，作输入用。对内部Flash程序存
储器编程时，接收低8位地址信息。除此之外P1端口还用于一些专门功能，
3)P2端口[P2.0～P2.7] P2是一个带有内部上拉电阻的8位双向I/0端口。输出时可驱
动4个TTL 。端口置1时，内部上拉电阻将端口拉到高电平，作输入用。对内部Flash程序存
储器编程时，接收高8位地址和控制信息。在访问外部程序和16位外部数据存储器时， P2口
送出高8位地址。而在访问8位地址的外部数据存储器时其引脚上的内容在此期间不会改变。
(4)P3端口[P3.0～P3.7] P2是一个带有内部上拉电阻的8位双向I/0端口。输出时可驱
动4个TTL 。端口置1时，内部上拉电阻将端口拉到高电平，作输入用。对内部Flash程序存
储器编程时，接控制信息。除此之外P3端口还用于一些专门功能，
其它的控制或复用引脚
(1)ALE/-PROG 30 访问外部存储器时， ALE（地址锁存允许）的输出用于锁存地址的
低位字节。即使不访问外部存储器，ALE端仍以不变的频率输出脉冲信号(此频率是振荡器频
率的1/6) 。在访问外部数据存储器时，出现一个ALE脉冲。对Flash存储器编程时，这个引脚
用于输入编程脉冲PROG 。
(2)PSEN 29 该引脚是外部程序存储器的选通信号输出端。当S52由外部程序存储器取
指令或常数时，每个机器周期输出2个脉冲即两次有效。但访问外部数据存储器时，将不会
有脉冲输出。
(3)-EA/Vpp 31 外部访问允许端。当该引脚访问外部程序存储器时，应输入低电平。
要使S52只访问外部程序存储器（地址为0000H-FFFFH）,这时该引脚必须保持低电平。当使
用内部的程序存储器时，此引脚应与Vcc相连。当使用内部的程序存储器时，此引脚应与Vcc相连。对Flash存储器编程时，用于施加Vpp编程电压。
C2051 的引脚功能与 C51 相仿，在此不另外介绍了