#数码小妖怪#华为成直接受益者，国货威武！投资240亿美元的长江存储迎来突破随着中国经济的迅猛发展和国力的不断提

随着中国经济的迅猛发展和国力的不断提升，一些制约中国产业升级的行业和技术开始突显。科技日报曾经统计了35项“卡脖子”的关键技术，其中光刻机、芯片和操作系统名列前三。其实光刻机和芯片同属半导体领域，光刻机是制造芯片的关键设备。

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众所周知， “缺芯少屏”一直是中国科技行业的两大心病。经过多年的潜心发展，以京东方、华星光电为代表的液晶面板企业打破了日韩等面板巨头的垄断，在液晶面板屏幕占据一席之地。然而自主芯片却一直没有得到解决， 2018年的中兴事件和2019年华为被打压，让国人意识到国内在芯片领域与国外先进水平的巨大差距。没有核心技术就没有话语权，就要看别人的脸色。

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其实国家层面早就注意到了半导体产业所面临的问题，早在2014年就出台了《国家集成电路产业发展推进纲要》，为中国半导体产业的发展指明了方向和目标。在此背景下，一大批半导体项目和投资规划纷纷立项，其中就包括了被称为“芯片国家队”的紫光集团。

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近日紫光集团旗下的长江存储突然宣布，其自主研发的128层QLC3DNAND闪存（型号：X2-6070）研发成功，这是全球首款128层QLC闪存，并且已经在多家控制器厂商SSD等终端产品上通过验证。长江存储的这一成果具有里程碑式的意义，标志着中国半导体产业打破了美日韩在闪存市场的垄断和封锁。 “中国芯”终于成了！

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长江存储成立于2016年，总部位于湖北武汉，是一家专注于3DNAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业，由紫光集团、国家集成电路产业投资基金、湖北省科投等共同投资。目前长江存储在全球共有5000多名员工，其中研发工程师大约2000人。长江存储成立后发展迅猛， 2017年宣布成功研发首款国产32层3DNAND闪存芯片。 2019年5月，长江存储又成功研发64层3DNAND闪存芯片。

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然而长江存储虽然实现了国产3DNAND闪存芯片“0”的突破，但是与三星、海力士等国外芯片巨头还有着不小的差距，同期三星与海力士已经量产了128层3DNAND闪存。在此情况下，长江存储毅然决定跳过96层3DNAND闪存的研发，直接研发128层3DNAND闪存。经过大半年的努力，长江存储终于成功研发128层3DNAND闪存。并计划于今年年底实现量产。

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长江存储能够取得这样的成绩来之不易，能够帮助中国有力的打破国外技术封锁和产品供应“卡脖子”问题。我国每年的芯片进口额高达2万亿元，比石油的进口额还要大。其中以DRAM内存和3DNAND闪存为代表的存储芯片市场规模高达2000亿美元，而我国每年在这上面的进口额则达到1230亿美元。 3DNAND闪存一般用于制造SSD硬盘，由三星、海力士、美光、东芝等美日韩巨头长期操纵。

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为了打破国外巨头的封锁，长江存储累计投资240亿美元力争实现芯片自主化。长江存储在3DNAND闪存上的成功，像中兴、华为等国内通信龙头企业都是直接受益者。再也不用担心在3DNAND闪存上被外国厂商“卡脖子” ，帮助华为打破老美的疯狂打压。

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除了长江存储以外，目前还有合肥长鑫在DRAM内存上发力，力争打破国外技术的封锁。希望国产半导体行业早已达到世界领先水平，不再被外国巨头刁难。