#数码小妖怪#华为成直接受益者,国货威武!投资240亿美元的长江存储迎来突破

随着中国经济的迅猛发展和国力的不断提升 , 一些制约中国产业升级的行业和技术开始突显 。 科技日报曾经统计了35项“卡脖子”的关键技术 , 其中光刻机、芯片和操作系统名列前三 。 其实光刻机和芯片同属半导体领域 , 光刻机是制造芯片的关键设备 。
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众所周知 , “缺芯少屏”一直是中国科技行业的两大心病 。 经过多年的潜心发展 , 以京东方、华星光电为代表的液晶面板企业打破了日韩等面板巨头的垄断 , 在液晶面板屏幕占据一席之地 。 然而自主芯片却一直没有得到解决 , 2018年的中兴事件和2019年华为被打压 , 让国人意识到国内在芯片领域与国外先进水平的巨大差距 。 没有核心技术就没有话语权 , 就要看别人的脸色 。
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其实国家层面早就注意到了半导体产业所面临的问题 , 早在2014年就出台了《国家集成电路产业发展推进纲要》 , 为中国半导体产业的发展指明了方向和目标 。 在此背景下 , 一大批半导体项目和投资规划纷纷立项 , 其中就包括了被称为“芯片国家队”的紫光集团 。
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近日紫光集团旗下的长江存储突然宣布 , 其自主研发的128层QLC3DNAND闪存(型号:X2-6070)研发成功 , 这是全球首款128层QLC闪存 , 并且已经在多家控制器厂商SSD等终端产品上通过验证 。 长江存储的这一成果具有里程碑式的意义 , 标志着中国半导体产业打破了美日韩在闪存市场的垄断和封锁 。 “中国芯”终于成了!
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长江存储成立于2016年 , 总部位于湖北武汉 , 是一家专注于3DNAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业 , 由紫光集团、国家集成电路产业投资基金、湖北省科投等共同投资 。 目前长江存储在全球共有5000多名员工 , 其中研发工程师大约2000人 。 长江存储成立后发展迅猛 , 2017年宣布成功研发首款国产32层3DNAND闪存芯片 。 2019年5月 , 长江存储又成功研发64层3DNAND闪存芯片 。
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然而长江存储虽然实现了国产3DNAND闪存芯片“0”的突破 , 但是与三星、海力士等国外芯片巨头还有着不小的差距 , 同期三星与海力士已经量产了128层3DNAND闪存 。 在此情况下 , 长江存储毅然决定跳过96层3DNAND闪存的研发 , 直接研发128层3DNAND闪存 。 经过大半年的努力 , 长江存储终于成功研发128层3DNAND闪存 。 并计划于今年年底实现量产 。
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长江存储能够取得这样的成绩来之不易 , 能够帮助中国有力的打破国外技术封锁和产品供应“卡脖子”问题 。 我国每年的芯片进口额高达2万亿元 , 比石油的进口额还要大 。 其中以DRAM内存和3DNAND闪存为代表的存储芯片市场规模高达2000亿美元 , 而我国每年在这上面的进口额则达到1230亿美元 。 3DNAND闪存一般用于制造SSD硬盘 , 由三星、海力士、美光、东芝等美日韩巨头长期操纵 。
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为了打破国外巨头的封锁 , 长江存储累计投资240亿美元力争实现芯片自主化 。 长江存储在3DNAND闪存上的成功 , 像中兴、华为等国内通信龙头企业都是直接受益者 。 再也不用担心在3DNAND闪存上被外国厂商“卡脖子” , 帮助华为打破老美的疯狂打压 。
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除了长江存储以外 , 目前还有合肥长鑫在DRAM内存上发力 , 力争打破国外技术的封锁 。 希望国产半导体行业早已达到世界领先水平 , 不再被外国巨头刁难 。