据科学家称 , 石墨烯除了异常牢固外 , 还具有一系列独一无二的特性 , 石墨烯还是目前已知导电性能最出色的材料 , 这使它在微电子领域也具有巨大的应用潜力 。
研究人员甚至将石墨烯看作是硅的替代品 , 能用来生产未来的超级计算机 。
IBM宣布研发出号称全世界速度最快的石墨烯(graphene)场效晶体管(FET) , 可在26GHz频率下运作 。
该公司ThomasJ.Watson研究中心的研究人员并预测 , 碳元素更高的电子迁移率 , 可望使该种材料超越硅的极限 , 达到100GHz以上的速度跨入兆赫(terahertz)领域 。
石墨烯-荣获诺贝尔奖
2010年10月5日 , 英国曼彻斯特大学的两位科学家康斯坦丁·诺沃肖洛夫和安德烈·海姆因在石墨烯方面的研究荣获2010年诺贝尔物理学奖 。
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石墨烯-部分石墨烯研究成果
2009年12月1日在美国召开的材料科学国际会议上 , 日本富士通研究所宣布 , 他们用石墨烯制作出了几千个晶体管 。
富士通研究所的研究人员将原料气体吹向事先涂有用做催化剂的铁的衬底 , 在这种衬底上制成大面积石墨烯薄膜 。
大面积的石墨烯制备一直是个难题 。
富士通用上述方法制成了高质量的7.5厘米直径的石墨烯膜 。
在此基础上 , 再配置电极和绝缘层 , 制成了石墨烯晶体管 。
由于石墨烯面积较大 , 富士通在上面制成了几千个晶体管 。
石墨烯晶体管比硅晶体管功耗低和运行速度快 , 可制作出性能优良的半导体器件 。
如果改进技术后有望进一步扩大石墨烯面积 , 这样能够制作出更多的晶体管和石墨烯集成电路 , 为生产高档电子产品创造了条件 。
2009年11月日本东北大学与会津大学通过合作研究发现 , 石墨烯可产生太赫兹光的电磁波 。
研究人员在硅衬底上制作了石墨烯薄膜 , 将红外线照射到石墨烯薄膜上 , 只需很短时间就能放射出太赫兹光 。
如果今后能够继续改进技术 , 使光源强度进一步增大 , 将开发出高性能的激光器 。
研究团队在硅衬底上使用有机气体制作一层碳硅化合物 。
然后 , 进行热处理 , 使其生长出石墨烯的薄膜 。
该石墨烯薄膜只需极短暂的时间照射红外线 , 就能从石墨烯上发送出太赫兹光 。
目前 , 该团队正致力于开发能将光粒封闭在内部 , 使光源强度增加的器件 , 期望能够开发出在接近室温条件下可工作的太赫兹激光器 。
2010年 , 美国莱斯大学利用该石墨烯量子点 , 制作单分子传感器 。
莱斯大学将石墨烯薄片与单层氦键合 , 形成石墨烷 。
石墨烷是绝缘体 。
氦使石墨烯由导体变换成为绝缘体 。
研究人员移除石墨烯薄片两面的氦原子岛 , 就形成了被石墨烷绝缘体包围的、微小的导电的石墨烯阱 。
该导电的石墨烯阱就可作为量子阱 。
量子点的半导体特性要优于体硅材料器件 。
这一技术可用来制作化学传感器、太阳能电池、医疗成像装置或是纳米级电路等 。
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