『与非网』NORFlash,助力国产迎接IoT时代真正爆发,恒烁半导体推首款50nm

与非网4月9日讯 , 近日 , 恒烁半导体推出了第一款面向物联网应用的50nm128Mb高速低功耗NORFlash存储芯片 , 芯片尺寸为业界最小 , 具有很强的成本和性能优势 , 力争在该市场中站稳脚跟 , 迎接IoT时代的真正爆发 。
作为国之重器 , 存储器承担着尽早实现国产替代的重任 。 在众多半导体存储器中 , 市场规模最大的是DRAM和NANDFlash , 两者合计占比达到98%左右 。 而NORFlash的市场规模曾一度随着功能手机的消亡而逐渐降低 , 占比不足1% 。 但值得一提的是 , 近年来随着IoT、5G、TWS、AMOLED等下游市场的持续推动 , NORFlash的市场空间正逐渐恢复 , 并再次获得业内厂商的重视 。
NORFlash市场的复苏无疑为国内IC厂商带来了新的希望 , 其中在这一领域布局多年的合肥恒烁半导体便紧抓市场机遇 , 并于近日推出第一款面向物联网应用的50nm128Mb高速低功耗NORFlash存储芯片 , 芯片尺寸为业界最小 , 具有很强的成本和性能优势 , 力争在该市场中站稳脚跟 , 迎接IoT时代的真正爆发 。
而受益于IoT市场的爆发 , 从2019年下半年开始 , NORFlash的需求量暴增 , 甚至一度出现缺货局面 。 在此背景和趋势下 , 恒烁半导体基于公司在65nmNORFlash系列产品开发过程中积累了大量的经验与技术 , 顺势而为提出并立项了研发更为先进的50nmNORFlash系列产品 。
据了解 , 恒烁50nmNORFlash项目的产品采用目前业界最先进/尺寸最小的50nmNORFlash工艺 , 具有芯片尺寸小、功耗低、速度快、成本低等特点 。 而该产品的创新点主要体现在尺寸和功耗两个方面 。
从尺寸上来看 , 由于恒烁NORFlash存储芯片采用新的50nm工艺技术 , 在优化模拟模块设计和电路布局的同时 , 使得芯片的单位存储单元面积更小;此外在功耗方面 , 恒烁针对电路设计上的优化 , 使得其研发的NORFlash芯片具有更低的功耗 , 以及更快的速度 。
实际上从目前来看 , 行业内主流NORFlash产品的工艺节点仍为65nm , 而在2019年 , 华邦推出了58nm系列产品 , 旺宏与兆易创新推出了55nm系列产品 。 因此 , 恒烁半导体基于未来5年IoT市场对于NORFlash激增的市场需求 , 研发出更为先进技术工艺节点的50nm系列产品 , 从产品差异化路线出发 , 抢占更多市场份额 。
为更好地满足IoT市场需求 , 恒烁50nmNORFlash产品主要从三个方面进行了优化:首先 , 众多TWS模块和可穿戴产品由于面积小、厚度薄的特点 , 需要1.5x1.5mmDFN小型封装或需要采用多芯片叠封形式 , 这便要求NORFlash的尺寸尽量要小 , 目前主流的NORFlash都是采用65nm制程 , 而采用更先进的50nm制程可减少20%-30%的芯片尺寸 , 从而解决芯片尺寸过大的难题;其次 , 大部分IoT应用具备使用时间长和待机时间长的特点 , 因此迫切需要低功耗的NORFlash;最后 , 常规的NORFlash通常有3.3V和1.8V这两种电压等级 , 而电池供电的终端设备需要在电池电力下降的时候仍然可以工作 , 这便催生出对1.6V-3.3V宽电压NORFlash的需求 。
『与非网』NORFlash,助力国产迎接IoT时代真正爆发,恒烁半导体推首款50nm
文章图片
目前 , 恒烁团队第一款50nm128MbNORFlash芯片已在武汉新芯(XMC)实现量产 , 预计今年第二季开始接受客户订单 。 恒烁正在努力研发50nm其他容量的产品 , 力争2021年完成全部50nm产品优化和产品定型 , 实现高速、低功耗全系列产品量产 , 全面替代65nm产品 。
恒烁半导体公司下设两个产品事业部:NORFlash闪存事业部和存算一体AI事业部 。 其中NORFlash闪存事业部仅用一年时间即完成第一款NORFlash的设计研发和流片 , 2016年开始量产销售 , 向全球客户提供通用SPI接口的NORFlash 。
截至目前 , 恒烁65nmNORFlash实现全系列产品量产 , 芯片累计出货量已超过10亿颗 , 被广泛应用于包括消费类电子(可穿戴设备、智能音箱、电子玩具、数码相机、机顶盒和家用电器等)、电脑、手机、安防监控、物联网IoT、人工智能AI、泛在电力物联网、汽车电子和工业控制等行业 。