【半导体投资联盟】瓦森纳协议首增大硅片管制：14nm“精准打击”中国半导体！集微网报道(记者张轶群)就在国内12英寸

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集微网报道(采访人员张轶群)就在国内12英寸大硅片(300mm晶圆)项目纷涌而起之际，去年底新修订的《瓦森纳协议》中，便“紧跟形势”地增加了对于12英寸硅晶圆制造技术的出口管制内容。
具体而言，新增内容直指当下国内正在寻求突破的针对于14nm制程的大硅片生产技术，在此之前，中芯国际已宣布14nm实现量产。
“瓦森纳新增部分对于12英寸大硅片技术的管制针对性非常强。当他们发现无法限制中国的14nm芯片制造之后，便将范围扩大到上游14nm工艺硅片的生产技术上来。 ”一位业内人士告诉集微网。
同光刻机类似，半导体硅片也是我国半导体产业链与国际先进水平差距最大的环节之一。目前我国12英寸大硅片百分之九十九以上来自进口，从生产技术、原材料到设备，几乎均由国外企业把持。
在新瓦森纳协议“锁喉”之下，中国大硅片产业亟待寻求突围之策。行业人士呼吁，芯片制造企业不能只顾眼前利益，要下决心配合硅片制造商测试国产化硅片质量，从长远利益出发，具有危机意识，双方协同推进我国大硅片产业的快速发展。
新“瓦森纳”的忧虑：中国14nm节点的突破
在去年年底新修订的《瓦森纳协议》中增加了两条有关半导体领域的出口管制内容，主要涉及计算光刻软件以及12英寸大硅片生产制造技术。

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对于大硅片技术管制的具体内容表述为：对300mm直径硅晶圆的切割、研磨、抛光达到局部平整度的技术要求，在任意26mm*8mm的面积内平整度差小于等于20nm ，以及边缘去除方面小于等于2mm 。
一位国内的硅片厂商人士告诉集微网，这是行业内关于硅片平整度技术要求的最精准描述。换成通俗一点的说法，这一技术规范通常情况下对应的是针对14nm制程工艺的大硅片生产制造技术。在此要求之下，所有涉及到该指标的技术、设备等都在出口管制之内。
“在40nm制程节点以下，对于晶圆片要求基本是差不多的，对应的技术节点主要是看光刻机下套准的精度是多少，精准度越高，平整度就要求越高，所以限制平整度绝对是专业手法。 ”该人士表示。
对于新修订的《瓦森纳协议》，上述硅片厂商人士告诉集微网，他解读出了两个字：忧虑。
“以前瓦森纳协议中并没有针对硅片的内容，此次新修订的瓦森纳协议首次增加了对于硅片部分的限制内容，来自于对中国在14nm工艺节点上取得突破的焦虑。可能他们认为如果不加以限制，会出大问题。 ”该人士表示。
这个大问题可能来自于中国在14nm以及先进制程工艺节点上取得的重大突破。
去年10月，中芯国际宣布旗下的14nm工艺制程芯片已经实现量产，华力微也在去年3月表示，将于今年年底实现14nmFinFET量产。根据此前的公开报道，长江存储购买到可用于生产14nm工艺3DNAND闪存的光刻机。与此同时，各地纷纷上马的12英寸大硅片项目也有望实现国产大硅片的自给，摆脱在12英寸大硅片上几乎全部进口的现状。
这意味着在14nm节点上，中国构建起从晶圆供给，到芯片制造较为完整的产业链条雏形。 14nm节点的大硅片主要应用于存储、逻辑电路，如GPU、智能手机SoC、高端存储芯片、CPU、FPGA等，应用广泛，在消费电子、汽车、工业、物联网、5G等领域拥有庞大的市场空间。
这些都为我国半导体产业加速掌握更加先进的制程技术奠定了基础，同时也正是瓦森纳所代表的西方势力所深感不安之处。
“新瓦森纳协议的针对性很强，既然无法对我们的14nm芯片制造进行限制，那就将矛头指向14nm大硅片的生产工艺，从更上游进行限制。 ”该人士表示。