『北京永阳微波商城』16GB容量,全球首款!三星推出第三代HBM2E内存

日前 , 三星宣布推出业界首款第三代HBM2E内存 , 新的HBM2E内存由8颗16Gb的DRAM颗粒堆叠而成 , 单个封装可以达到16GB的总容量 , 并且其拥有高达3.2Gbps的传输速率 。
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新型Flashbolt准备提供前一代8GBHBM2“Aquabolt”容量的两倍 , 还可以显着提高性能和电源效率 , 从而显着改善下一代计算系统 。 通过在缓冲芯片顶部垂直堆叠八层10nm级(1y)16千兆位(Gb)DRAM裸片来实现16GB的容量 。 然后 , 该HBM2E封装以40,000多个“直通硅通孔”(TSV)微型凸块的精确排列进行互连 , 每个16Gb裸片均包含5,600多个此类微小孔 。
三星的Flashbolt通过利用专有的优化电路设计进行信号传输 , 提供了每秒3.2吉比特(Gbps)的高度可靠的数据传输速度 , 同时每个堆栈提供410GB/s的内存带宽 。 三星的HBM2E还可以达到4.2Gbps的传输速度 , 这是迄今为止最大的测试数据速率 , 在某些将来的应用中 , 每个堆栈的带宽高达538GB/s 。 这将比Aquabolt的307GB/秒提高1.75倍 。
三星预计将在今年上半年开始量产 。 该公司将继续提供其第二代Aquabolt产品阵容 , 同时扩展其第三代Flashbolt产品 , 并将在整个高端存储器市场加速向HBM解决方案的过渡时 , 进一步加强与下一代系统中生态系统合作伙伴的合作 。
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