2019年 ， 中芯国际已宣布量产14nm芯片 。 且细看中芯国际的工艺研发路线可以发现 ， 中芯国际在14nm量产后 ， 可能会跳过10nm工艺 ， 朝7nm的目标迈进 。
中芯国际此前多次表示：中芯国际的下一代工艺是N+1工艺 。 虽然中芯国际没有透露具体细节 ， 只是称下一代工艺与14nm相比 ， 性能提升了20% ， 功耗降低了57% ， 逻辑面积缩小了63% ， SoC面积减少了55% 。
换算下来 ， 这正是7nm的技术标准 。
一直以来 ， 英特尔是按照单位面积内晶体管的数量来判断芯片工艺的标准 。 英特尔10nm芯片一个单位占面积54*44nm ， 每平方毫米1.008亿个晶体管；台积电7nm芯片一个单位占面积57*40nm ， 每平方毫米1.0123亿个晶体管 。 而中芯国际的N+1代工艺 ， 也达到了7nm的标准 。
如果中芯国际能试产N+1工艺芯片 ， 或能够小批量生产N+1工艺芯片 ， 中芯国际将成为全球第三家掌握10nm以下工艺的芯片代工企业 。
除此之外 ， 中芯国际的FinFET技术研发也在不断向前推进 。 第一代FinFET（14nm）已成功量产 ， 第二代FinFET（12nm工艺）正在研发稳步推进 。
前段时间 ， 荷兰ASML的EUV光刻机禁运中芯国际事件 ， 又将光刻机这一重要设备推向风口浪尖 。 中芯国际与国际最先进的芯片制造水平只有一两代工艺的差距 。 目前 ， 中芯国际已经成功掌握FinFET技术 ， 未来只要掌握了 EUV 技术 ， 中芯国际就可以与台积电站在同一起跑线上 ， 但EUV光刻机却迟迟未到 。
但中芯国际CEO梁孟松多次表示 ， 目前中芯国际无需EUV光刻机 ， 也能实现7nm工艺的生产 ， 台积电第一代7nm工艺芯片也没有使用EUV光刻机 ， 但是之后的5nm、3nm工艺的芯片制造则必须使用EUV光刻机 。
如果中芯国际真的能迎来7nm的量产 ， 在未来5年内 ， 中芯国际将有望成为中国内地的下一个“台积电” 。
【『中芯国际』光刻机迟迟未到，中芯国际跃障冲刺7nm】本文编辑：唐钰婷

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