靓科技解读@新式SIC管沟型JFET，【专利权破译】泰克天润( 二 ) 泰科天润发明的碳化硅沟槽型JFET的制作

接着，去除包括帽子层上的第一掩膜层和沟道侧壁的第二掩膜层的全部剩余掩膜，并进行清洗，在帽子层上、沟道底部和沟道侧壁镀上一层退火保护层，在去除退火保护层后的帽子层上、沟槽底部和沟道侧壁淀积隔离层。
最后，分别在衬底的远离缓冲层的一侧，暴露的帽子层和暴露的离子注入区中形成欧姆接触，使得每一个沟槽中填充绝缘介质至沟槽被填满，并进行平坦化刻蚀，使得第二欧姆接触层露出，然后用光刻和刻蚀的方法去除JFET一端的一个沟槽底部位置处的绝缘介质，使得第四欧姆接触层露出，最后分别在漏极、源极和栅极处淀积互连金属层即可完成。
最后我们再来看看JFET欧姆接触平面示意图，如下图所示：
以上就是泰科天润半导体科技发明的碳化硅沟槽型JFET的制作方法，在离子注入时利用掩模版掩盖沟道侧壁，使得沟道侧壁不被离子注入，从而能够防止沟道侧壁因离子注入产生损伤和缺陷，减少栅的面积减少栅源、栅漏电容，抑制通过沟道侧壁漏电避免形成不可靠的PN结。
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