*2) IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极晶体管)

ROHM的SiC功率元器件被应用于UAES的电动汽车车载充电器。　　同时具有MOSFET的高速开关特性和双极晶体管的低传导损耗特性的功率晶体管 。

　　*3) 传导损耗、开关损耗

ROHM的SiC功率元器件被应用于UAES的电动汽车车载充电器。　　因元器件结构的缘故,MOSFET和IGBT等晶体管在使用时会产生损耗 。 传导损耗是电流流过元器件时(ON状态时),受元器件的电阻分量影响而产生的损耗 。 开关损耗是切换元器件的通电状态时(开关动作时)产生的损耗 。

• 太平洋电脑网：不止于高功率+金牌，爱国者ES650还能保5年，爱了爱了
• 「产业气象站」如果瘫痪了会造成什么影响，用于海上风电功率预测的系统
• 微信删除的好友怎么找回？果师兄，成功率可达80%
• 轻聊综艺@ROHM推出业界首创的LED驱动器“BD18336NUF-M”
• 『半导体投资联盟』Small cell新起点 芯百特微电子发布Small Cell功率放大器系列产品，中国“芯”5G
• 『小小天看世界』国产替代加速，功率半导体行业专题报告：高端布局加码
• 『与非网』研究人员开发出人工智能半导体的核心部分，可为新计算机节省10倍功率
• [OPPO]OPPO全球首发隔空充电技术，10米内可实现5-10W稳定功率
• 「大数据」ACM会议更新2020年第二届大数据服务智能计算国际会议BDSIC 2020
• 众创网@一文看懂ASIC芯片设计开发与生产流程