：第三代半导体氮化镓GaNA股仅有的2家核心公司

今天聊一聊第三代半导体：氮化镓GaN 。两家核心公司的业务在文章底部。
根据材料的不同，现代半导体已经发展到第三代。
第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗（Ge）元素半导体。它们在国际信息产业技术中的各类分立器件和集成电路、电子信息网络工程等领域得到了极为广泛的应用。
第二代半导体材料是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）、磷化铟（InP），以及三元化合物半导体材料，还有一些固溶体半导体材料、玻璃半导体（又称非晶态半导体）材料、有机半导体材料等。主要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料。
第三代半导体材料主要是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带（禁带宽度Eg>2.3eV）的半导体材料。

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与第一代和第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射能力，更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。从目前第三代半导体材料及器件的研究来看，较为成熟的第三代半导体材料是SiC和GaN ，而ZnO、金刚石、氮化铝等第三代半导体材料的研究尚属起步阶段。
氮化镓（GaN）优势、用途
极其稳定的化合物，坚硬和高熔点材料，熔点为 1700℃ 。具有高的电离度，出色的击穿能力、更高的电子密度和电子速度以及更高的工作温度，且具有低导通损耗、高电流密度等优势。
通常用于微波射频、电力电子、光电子三大领域。微波射频包含了5G通信、雷达预警、卫星通讯等应用；电力电子方向包括了智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费电子等应用；光电子方向包括了 LED、激光器、光电探测器等应用。

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1、氮化镓（GaN）在微波射频（5G）领域
随着5G到来， GaN在Sub-6GHz 宏基站和毫米波（24GHz以上）小基站中找到一席之地。 GaN射频市场将从2018年的6.45亿美元增长到2024年的约20亿美元，这主要受电信基础设施和国防两个方向应用推动，卫星通信、有线宽带和射频功率也做出了一定贡献。
随着新的基于GaN的有源电子扫描阵列（AESA）雷达系统的实施，基于GaN的军用雷达预计将主导GaN军事市场，从2018年的2.7亿美元增长至2024年的9.77亿美元， CAGR达 23.91％。
GaN无线基础设施的市场规模将从2018年的3.04亿美元增长至2024年的7.52亿美元， CAGR达16.3% 。
GaN有线宽带市场规模从2018年的1,550万美元增长至2024年的6,500万美元， CAGR达 26.99% 。
GaN射频功率市场规模从2018年的200万美元增长至2024年的10,460万美元， CAGR达 93.38% ，具有很大成长空间。
氮化镓（GaN）市场格局
Yole统计， 2019全球3750多项专利一共可分为1700多个专利家族。这些专利涉及RF GaN外延、RF半导体器件、集成电路和封装等。 Cree（Wolfspeed）拥有最强的专利实力，在RF 应用的GaN HEMT 专利竞争中，尤其在GaN-on-SiC技术方面处于领先地位，远远领先于其主要专利竞争对手住友电工和富士通。英特尔和MACOM是目前最活跃的 RF GaN专利申请者，主要聚焦在GaN-on-Si 技术领域。 GaN RF HEMT 相关专利领域的新进入者主要是中国厂商，例如HiWafer（海威华芯），三安集成、华进创威。

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2、氮化镓（GaN）在电力电子领域