不久前 ， 欧洲微电子研究中心IMEC首席执行官兼总裁Luc Van den hove在线上演讲中表示 ， 在与ASML公司的合作下 ， 更加先进的光刻机已经取得了进展 。
目前ASML已经完成了NXE:5000系列的高NA EUV曝光系统的基本设计 ， 至于设备的商业化 。 要等到至少2022年 ， 而等到台积电和三星拿到设备 ， 之前要在2023年 。
台积电在材料上的研究 ， 也让1nm成为可能 。 台积电和交大联手 ， 开发出全球最薄、厚度只有0.7纳米的超薄二维半导体材料绝缘体 ， 可望借此进一步开发出2纳米甚至1纳米的电晶体通道 。 台积电正为2nm之后的先进制程持续觅地 ， 包含桥头科、路竹科 ， 均在台积电评估中长期投资设厂的考量之列 。
【台积电狂抢最先进EUV光刻机】2021年将是5nm迸发的一年 ， 相对3nm也是诞生或者萌芽的一年 。
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